一种半导体器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及覆盖所述鳍片底部的隔离材料层；步骤S2：在露出的所述鳍片顶部的侧壁上形成间隙壁，以覆盖所述鳍片顶部的侧壁；步骤S3：回蚀刻所述隔离材料层，以部分地露出所述鳍片底部，形成目标高度的鳍片；步骤S4：对露出的所述鳍片底部进行扩散停止离子注入，以在所述露出的所述鳍片底部中形成扩散停止层；步骤S5：执行沟道停止离子注入，以在所述扩散停止层的下方形成沟道穿通停止层。通过所述方法不仅可以防止沟道停止离子的扩散，而且所述间隙壁的形成可以保护所述鳍片不受损坏，进一步提高了半导体器件的性能和良率。

Semiconductor device and its preparing method and electronic device

The invention relates to a semiconductor device, a preparation method thereof, and an electronic device. The method comprises the steps of: providing a semiconductor substrate, S1 has a number of fins and the fin cover at the bottom of the isolation material layer is formed on the semiconductor substrate; step S2: the formation of gap wall at the top of the fin exposed on the side wall to cover the top of the fin; step back: S3 the etching of the isolation layer, which is partially exposed at the bottom of the fin, the formation of the target height fin; step S4: on the fins exposed to the bottom of the diffusion of ion implantation to stop, the fins exposed to the bottom in the form of diffusion stop layer; step S5: the implementation of channel stop ion implantation and on the diffusion layer below the stop channel is formed through the stop layer. By means of the method, the ion diffusion of the channel can be prevented, and the formation of the gap wall can protect the fin from being damaged, thereby further improving the performance and the yield of the semiconductor device.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于高器件密度、高性能和低成本的需求，半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，半导体器件的制备受到各种物理极限的限制。随着CMOS器件尺寸的不断缩小，来自制造和设计方面的挑战促使了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。相对于现有的平面晶体管，FinFET是用于20nm及以下工艺节点的先进半导体器件，其可以有效控制器件按比例缩小所导致的难以克服的短沟道效应，还可以有效提高在衬底上形成的晶体管阵列的密度，同时，FinFET中的栅极环绕鳍片(鳍形沟道)设置，因此能从三个面来控制静电，在静电控制方面的性能也更突出。在所述FinFET器件中由于源漏区的部分消耗，在FinFET器件中需要进行沟道停止离子注入，以控制鳍片底部的的源漏由于部分耗尽造成的穿通，此外，沟道停止离子注入过程中造成的损坏的控制成为主要的问题，其中，穿通离子注入掺杂(punchthroughimpdoping)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及覆盖所述鳍片底部的隔离材料层；步骤S2：在露出的所述鳍片顶部的侧壁上形成间隙壁，以覆盖所述鳍片顶部的侧壁；步骤S3：回蚀刻所述隔离材料层，以部分地露出所述鳍片底部，形成目标高度的鳍片；步骤S4：对露出的所述鳍片底部进行扩散停止离子注入，以在所述露出的所述鳍片底部中形成扩散停止层；步骤S5：执行沟道停止离子注入，以在所述扩散停止层的下方形成沟道穿通停止层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及覆盖所述鳍片底部的隔离材料层；步骤S2：在露出的所述鳍片顶部的侧壁上形成间隙壁，以覆盖所述鳍片顶部的侧壁；步骤S3：回蚀刻所述隔离材料层，以部分地露出所述鳍片底部，形成目标高度的鳍片；步骤S4：对露出的所述鳍片底部进行扩散停止离子注入，以在所述露出的所述鳍片底部中形成扩散停止层；步骤S5：执行沟道停止离子注入，以在所述扩散停止层的下方形成沟道穿通停止层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，选用横向扩散离子注入的方法进行沟道停止离子注入，以形成所述沟道穿通停止层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，执行Ge离子注入，以在所述鳍片底部形成非晶化的所述扩散停止层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：步骤S6：去除所述间隙壁，以露出所述鳍片。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：步骤S11：提供...

【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31