【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路
，尤其涉及。
技术介绍
在信息技术高度发展的当代，以集成电路为代表的微电子技术是信息技术的关键。集成电路作为人类历史上发展最快、影响最大、应用最广泛的技术，其已成为衡量一个国家科学技术水平、综合国力和国防力量的重要标志。对于整机系统中集成电路的数量更是其系统先进性的直接表征。 对半导体产业发展产生巨大影响的“摩尔定律”指出集成电路芯片上的晶体管数目，约每18个月增加I倍，性能也提升I倍。40多年来，世界半导体产业始终按照这条定律不断地向前发展。而现在，电路规模已由最初的小规模发展到现在的甚大规模。由于对集成度，功耗，面积，速度等各因素的综合考虑，CMOS得到了广泛的应用。随着器件尺寸的减小，尤其是逐步进入纳米尺度以后，微电子技术的发展越来越逼近材料、技术、器件的极限，面临着巨大的挑战。当器件特征尺寸缩小到65纳米技术代及以后，从器件角度看，纳米尺度器件中的短沟效应、强场效应、量子效应、寄生参量的影响、工艺参数涨落等问题对器件泄漏电流、亚阈特性、开态/关态电流等性能的影响越来越突出，电路速度和功耗的矛盾也将更加严重。随着集成度和...
【技术保护点】
一种混合晶面应变Si垂直沟道CMOS集成器件，其特征在于，器件衬底为SOI材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹤鸣，李妤晨，胡辉勇，宋建军，宣荣喜，王斌，王海栋，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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