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本发明公开了一种混合晶面应变Si垂直沟道CMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备一片SOI衬底，上层基体材料为（100）晶面，下层基体材料为（110）晶面；在600～800℃，在PMOS有源区刻蚀出深槽，选择性生长晶面为（110）的多层结...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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