应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法，外延结构自上而下为：外延生长衬底，AlN缓冲层、n型AlGaN层、多层量子阱、电子阻挡层、应变超晶格、n型简并掺杂AlGaN层、n型Si掺杂AlGaN层；应变超晶格包括p型AlGaN层及AlyGa1-yN/AlxGa1-xN。AlGaN的能带在极化电场的作用下整体向低能量方向移动，超晶格结构再与重掺杂的n型AlGaN接触后形成p-AlGaN/SSL/n*-AlGaN隧道结，p型AlGaN价带中的电子在外电场的作用下，通过隧道效应隧穿到n型AlGaN一侧，在p型AlGaN形成空穴。表层材料由p型AlGaN变为n-AlGaN，避免了p型欧姆接触的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种应变超晶格隧道结紫外LED外延结构，其特征在于：包括：外延生长衬底（1），以及依次生长在外延生长衬底上的AlN缓冲层（2）、n型AlGaN层（3）、周期性多层量子阱（4）、电子阻挡层（5）、应变超晶格（6）、n型简并掺杂AlGaN层（7）、n型Si掺杂AlGaN帽层（8）；其中，所述应变超晶格（6）包括p型AlGaN层以及在其上继续生长的单层或多层AlyGa1?yN/AlxGa1?xN，其中，y>x>0.65。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：云峰，王越，黄亚平，田振寰，王宏，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：