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本发明公开了一种基于SOI?SiGe?HBT的应变Si?BiCMOS集成器件及电路制备方法，在衬底上生长N型Si外延，制备深槽隔离，形成集电极接触区，干法刻蚀形成氮化物侧墙，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，光刻集电极窗口，去掉P...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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