薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管阵列面板。根据本发明专利技术示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板包括：设置在基板上的栅极布线层；设置在栅极布线层上的氧化物半导体层；以及设置在氧化物半导体层上的数据布线层，其中数据布线层包括包含铜的主布线层和设置在主布线层上且包含铜合金的盖层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的示例性实施方式涉及。
技术介绍
一般地，平板显示器诸如液晶显示器和有机发光二极管显示器可以包括多对场产生电极以及插置在场产生电极之间的电光有源层。液晶显示器可以包括液晶层作为电光有源层，有机发光二极管显示器可以包括有机发射层作为电光有源层。典型地，一对场产生电极中的其中之一通常连接到开关元件以接收电信号，电光有源层将电信号转换成光信号，由此显示图像。 在平板显示器中，例如薄膜晶体管(TFT)(其是三端元件)用作开关元件，由栅极线和数据线组成的信号线可以包括于平板显示器中，该栅极线传送用于控制薄膜晶体管的扫描信号，该数据线传送施加到像素电极的信号。然而，因为显示装置的面积变大，制造者面临挑战，为了实现高速驱动，已经采用氧化物半导体技术作为降低信号线中的电阻的方法。为了减小信号线中的电阻，已经采用了形成由铜和钛制成的双层信号线的方法。然而，薄膜晶体管的特性会由于钛与氧化物半导体之间的界面中所产生的杂质缺陷而劣化。因此，随着显示器增大，存在降低信号线中的电阻的需要。在该
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于增强对本专利技术背景的理解，因此，其可以包含不构成现有技术的、被描述来建立对现存技术内的问题的认识的信息。
技术实现思路
这些和其它需要通过本专利技术得以解决，其中已经构思了本专利技术的示例性实施方式致力于使用氧化物半导体来提供具有改善的薄膜晶体管的特性的优点的一种。本专利技术的示例性实施方式提供一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括设置在基板上的栅极布线层。该面板还包括设置在栅极布线层上的氧化物半导体层。该面板还包括设置氧化物半导体层上的数据布线层。数据布线层包括主布线层和设置在主布线层上的盖层，以及其中主布线层包括铜并且盖层包括铜合金。铜合金可以包括钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)、锰(Mn)、镁(Mg)、铬(Cr)、钥(Mo )、钴(Co )、铌(Nb )和镍(Ni )中的至少一种，或者铜、铝和镁的合金铜合金可以包括铜猛合金。氧化物半导体层可以包括锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)、镓(Ga)和铪(Hf)中的至少一种。数据布线层还可以包括设置在所述主布线层下的阻挡层。阻挡层可以包括由钒(V)、锆(Zr)、钽(Ta)、锰(Mn)、镁(Mg)、铬(Cr)、钥(Mo)、钴(Co)、银(Nb)和镍(Ni)中的至少一种与铜的合金制成的材料。与阻挡层中的铜形成合金的材料具有10at%*更高的含量。数据布线层可以包括交叉栅极线的数据线并且包括源电极和与源电极面对的漏电极。薄膜晶体管阵列面板还可以包括钝化层和像素电极，该钝化层覆盖数据线和漏电极并且包括暴露漏电极的一部分的接触孔，该像素电极通过接触孔与漏电极电连接。钝化层可包括硅氧化物。本专利技术的示例性实施方式提供一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。该方法包括在基板上形成栅极线。该方法包括在栅极线上形成栅绝缘层。该方法还包括在栅绝缘层上形成氧化物半导体层、第一金属层和第二金属层。该方法还包括在第二金属层上形成第一光致抗蚀剂图案，该第一光致抗蚀剂图案包括第一区和厚度比第一区大的第二区。该方法 包括通过使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模来一起蚀刻第二金属层和第一金属层。该方法包括通过使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻氧化物半导体层。该方法包括通过回蚀第一光致抗蚀剂图案而形成第二光致抗蚀剂图案。该方法还包括通过使用第二光致抗蚀剂图案作为掩模同时湿法蚀刻第一金属层和第二金属层而形成包括阻挡层和设置在阻挡层上的主布线层的数据布线层。第一金属层可以包括铜合金以及第二金属层可以包括铜。第一金属层可以由钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)、锰(Mn)、镁(Mg)、铬(Cr)、钥(Mo )、钴(Co )、铌(Nb )和镍(Ni )中的至少一种与铜的合金制成。与第一金属层中的铜形成合金的材料可具有大约25at%*更高的含量。该制造方法还可包括在栅绝缘层上形成第二金属层之后形成第三金属层。第三金属层可以包括铜合金。该制造方法还可以包括当第一金属层和第二金属层通过使用第二光致抗蚀剂图案作为掩模被湿法蚀刻时通过一起蚀刻第三金属层而在主布线层上形成盖层。本专利技术的示例性实施方式提供一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。该制造方法包括在包括布线部分和沟道部分的基板上形成栅极线。该方法包括形成覆盖栅极线的栅绝缘层。该方法还包括在栅绝缘层上形成氧化物半导体层、第一金属层和第二金属层。该方法还包括在第二金属层上形成具有开口的第一光致抗蚀剂图案，该开口设置在与沟道部分对应的部分处。该方法包括通过使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模来一起蚀刻第一金属层和第二金属层而形成包括阻挡层和设置在阻挡层上的主布线层的数据布线层。该方法包括去除第一光致抗蚀剂图案。该方法包括形成覆盖数据布线层的第二光致抗蚀剂图案。该方法还包括通过使用第二光致抗蚀剂作为掩模来蚀刻氧化物半导体层。第一金属层可以包括铜合金以及第二金属层可以包括铜。第一金属层可以由钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)、锰(Mn)、镁(Mg)、铬(Cr)、钥(Mo )、钴(Co )、铌(Nb )和镍(Ni )中的至少一种与铜的合金制成。与第一金属层中的铜形成合金的材料具有大约25at%*更高的含量。 该制造方法还可以包括在栅绝缘层上形成第二金属层之后，形成第三金属层。第三金属层可以包括铜合金。该制造方法还可以包括当第一金属层和第二金属层通过使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模被湿法蚀刻时通过一起蚀刻第三金属层而在主布线层上形成盖层。根据本专利技术的示例性实施方式，有可能通过稳定地接触氧化物半导体和信号线而改善薄膜晶体管的特性。另外，根据本专利技术的另一示例性实施方式，有可能通过在薄膜晶体管阵列面板的制造工艺中通过成批蚀刻多层信号线而简化工艺。此外，根据本专利技术的另一示例性实施方式，有可能通过减小薄膜晶体管阵列面板的制造工艺中产生的偏斜而控制沟道长度。将理解，前述一般性描述和以下的详细描述均是示例性和解释性的，旨在提高对本专利技术的进一步说明。附图说明 图I是显示根据本专利技术的示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板的一个像素的布局图；图2是沿图I的线II-II截取的横截面图；图3至图9是沿图I的II-II线截取的横截面图，从而描述根据本专利技术的示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板的制造方法；图10至图13是沿图I的II-II线截取的横截面图，从而描述根据本专利技术的示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板的制造方法。具体实施例方式以下将参考附图更全面地描述本专利技术，在附图中显示出本专利技术的实施方式。然而，本专利技术可以以许多不同的形式实施且不应被理解为限于在此阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开全面，并且将向本领域的技术人员充分传达本专利技术的范围。在图中，为了清晰，可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。图中相同的附图标记表示相同的元件。在图中，为了清晰，夸大了层、膜、面板和区域的厚度。将理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”或“连接到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上或者直接连接到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当一元件被称为“直接在”另一元件或层“上”或“直接连接到”到另一元件或层时，则没有中间元件或层存在。将理解，为了本公开的目的，“X、Y和Z本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，包括：栅极布线层，设置在基板上；氧化物半导体层，设置在所述栅极布线层上；以及数据布线层，设置在所述氧化物半导体层上，其中所述数据布线层包括主布线层和设置在所述主布线层上的盖层，以及其中所述主布线层包括铜并且所述盖层包括铜合金。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金度贤，姜闰浩，李东勋，朴常镐，柳世桓，金澈圭，李镕守，赵圣行，张宗燮，金东朝，李政奎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：