背照式CMOS影像传感器及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种背照式CMOS影像传感器及其形成方法，其中，所述背照式CMOS影像传感器包括：硅基底；形成于所述硅基底中的光电二极管及隔离结构，其中，所述光电二极管及隔离结构靠近所述硅基底的正面；形成于所述硅基底背面上的应力膜层。通过所述应力膜层能有效地降低载流子的迁移，从而能够减轻/避免背照式CMOS影像传感器中的暗电流问题，提高背照式CMOS影像传感器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及影像传感器
，特别涉及一种背照式CMOS影像传感器及其形成方法。
技术介绍
影像传感器是在光电技术基础上发展起来的，所谓影像传感器，就是能够感受光学图像信息并将其转换成可用输出信号的传感器。影像传感器可以提高人眼的视觉范围，使人们看到肉眼无法看到的微观世界和宏观世界，看到人们暂时无法到达处发生的事情，看到超出肉眼视觉范围的各种物理、化学变化过程，生命、生理、病变的发生发展过程，等等。可见影像传感器在人们的文化、体育、生产、生活和科学研究中起到非常重要的作用。可以说，现代人类活动已经无法离开影像传感器了。 影像传感器可依据其采用的原理而区分为电荷稱合装置(Charge-CoupledDevice)影像传感器(亦即俗称CCD影像传感器)以及CMOS (Complementary Metal OxideSemiconductor)影像传感器，其中CMOS影像传感器即基于互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术而制造。由于CMOS影像传感器是采用传统的CMOS电路工艺制作，因此可将影像传感器以及其所需要的外围电路加以整合，从而使得CMOS影像传感器具有更广的应用前景。按照本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于，包括：硅基底；形成于所述硅基底中的光电二极管及隔离结构，其中，所述光电二极管及隔离结构靠近所述硅基底的正面；形成于所述硅基底背面上的应力膜层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：费孝爱，肖海波，洪齐元，
申请(专利权)人：豪威科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：