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本发明提供了一种背照式CMOS影像传感器及其形成方法，其中，所述背照式CMOS影像传感器包括：硅基底；形成于所述硅基底中的光电二极管及隔离结构，其中，所述光电二极管及隔离结构靠近所述硅基底的正面；形成于所述硅基底背面上的应力膜层。通过所述应...
该专利属于豪威科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过豪威科技（上海）有限公司授权不得商用。

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