改善静电防护的发光二级管的结构及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种改善静电防护的发光二级管的结构，包括衬底、第一电极和第二电极，衬底上依次设置缓冲层和N型半导体层，其特征是：所述N型半导体层和缓冲层区分成第一岛状结构、第二岛状结构和第三岛状结构，在第二岛状结构和第三岛状结构上依次设置有源层和P型半导体层，在第三岛状结构上的P型半导体层上设置透明导电层；在所述第一岛状结构、第二岛状结构上的P型半导体层、透明导电层上设置钝化层，第一电极穿过钝化层与透明导电层和第二岛状结构中的N型半导体层连接，第二电极穿过钝化层与第一岛状结构中的N型半导体层和第二岛状结构上的P型半导体层连接。本发明专利技术有效的提高了静电防护，减少静电带来的损伤，延长了LED芯片使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED芯片结构，尤其是一种，属于LED芯片

技术介绍
静电学是十八世纪以库仑定律为基础建立起来的，以研究静止电荷及磁场作用规律的学科，是物理学中电磁学的一个重要组成部分。静电是在我们平时生活中到处存在的，但是在二十世纪40-50年代，半导体产业很少有静电问题，因为那时是晶体三级管和二极管，而所产生的静电也不如现在普遍。在60 年代，随着对静电非常敏感的MOS器件的出现，静电问题逐渐被人们所关注。70-90年代，随着集成电路的密度越来越大，一方面其二氧化硅膜的厚度越来越薄(微米一纳米)，其承受的静电电压越来越低；另一方面，产生和积累静电的材料如塑料，橡胶等大量使用，使得静电现象越来越普遍存在。在二十世纪中期，很多静电问题都是由于人们没有ESD (Electro-Static discharge，静电释放)意识而造成的。即使现在也有很多人怀疑ESD是否会对电子产品造成损坏，这是因为大多数ESD损害发生在人的感觉以外。因为人体对静电放电的感知电压约为3KV，而·许多电子元件在几百伏甚至几十伏时就会损坏，通常电子器件对被ESD损坏后没有明显的界限，把元件安装在P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善静电防护的发光二级管的结构，包括衬底（5）、N型半导体层（3）、P型半导体层（1）、第一电极（8）和第二电极（12），衬底（5）上依次设置缓冲层（4）和N型半导体层（3），缓冲层（4）覆盖于衬底（5）上，N型半导体层（3）覆盖于缓冲层（4）上，其特征是：所述N型半导体层（3）和缓冲层（4）区分成第一岛状结构（9）、第二岛状结构（10）和第三岛状结构（11）；在所述第二岛状结构（10）和第三岛状结构（11）上依次设置有源层（2）和P型半导体层（1），在第三岛状结构（11）上的P型半导体层（1）上设置透明导电层（6）；在所述第一岛状结构（9）、第二岛状结构（10）上的P型半导体层（1）、透...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张淋，杜高云，邓群雄，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：