【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有静电放电保护的电子装置,尤其涉及一种利用尖端放电原理以达成静电放电保护的电子装置。
技术介绍
静电荷由一表面移动至另一表面,此现象即为静电放电(ElectrostaticDischarge),亦可简称为ESD。于集成电路及电子组件中,静电放电现象所产生的电流可能对半导体接面、金属部件以与门极结构造成损坏。传统的静电放电保护装置10如图I所示,其中受保护的发光二极管dl与一稽纳二极管(Zener Diode) pi并联,其中稽纳二极管pi的阴极与一电压源Vdd耦合,阳极则与一电压源Vss耦合。当于电压源Vdd处产生一静电放电现象时,其电压将大于稽纳二极管pl的接面崩溃电压(junction breakdown voltage),使稽纳二极管Pl导通,并将静电荷导入电压源Vss。·然而,传统以稽纳二极管作为静电放电保护装置需要于集成电路制程阶段进行额外的制程步骤,且增加成本负担,仍具有相当的改善空间。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提出一种具静电放电保护的电子装置,包括第一导线架,具有至少一第一放电突出端;第二导线架,具有至少一第二放电突出端;以及电子 ...
【技术保护点】
一种具静电放电保护的电子装置,包括:一第一导线架,该第一导线架具有至少一第一放电突出端;一第二导线架,具有至少一第二放电突出端;以及一电子组件,设置于该第一导线架上,该电子组件的两端分别电性连接该第一及该第二导线架;该第一及该第二放电突出端是对向设置且分隔一既定距离;当静电放电事件出现于该第一或该第二导线架时通过该第一及该第二放电突出端进行静电放电。
【技术特征摘要】
2011.07.26 TW 1001262981.一种具静电放电保护的电子装置,包括 一第一导线架,该第一导线架具有至少一第一放电突出端; 一第二导线架,具有至少一第二放电突出端;以及 一电子组件,设置于该第一导线架上,该电子组件的两端分别电性连接该第一及该第二导线架; 该第一及该第二放电突出端是对向设置且分隔一既定距离;当静电放电事件出现于该第一或该第二导线架时通过该第一及该第二放电突出端进行静电放电。2.一种具静电放电保护之电子装置,包括 一第一导线架,该第一导线架具有至少一第一放电突出端; 一第二导线架,具有至少一第二放电突出端,该第二导线架电性连接至一参考电位节点;以及 一电子组件,电性连接该第一导线架; 该第一及该第二放电突出端是对向设置且分隔一既定距离;当静电放电事件出现于该第一导线架时通过该第一及该第二放电突出端进行静电放电。3.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置,其中还包括一封装材,用以包覆该电子组件、及部分该第一、第二导线架,并露出该第一及该第二放电突出端。4.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置,其中还包括一封装材,用以包覆该电子组件及部分该第一与该第二导线架; 其中,该封装材内部另形成一放电空间用以容纳该第一及该第二放电突出端,该放电空间可填入空气、塑料等具有绝缘体性质介质其中之一。5.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置,其中该第一与该第二导线架是由铜、银或铝所形成。6.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置,其中该第一及该第二放电突出端为圆锥状、角锥状或具有小曲率半径的几何结构。7.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置,其中该第一及该第二放电突出端之间的该既定距离,决定该第一及该第二放电突出端进行静电放电保护的触发电压值。8.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置,其中该第一及该第二放电突出端的该既定距离为I微米至200微米。9.根据权利要求I或2所述的具静电放电保护的电子装置,其中该电子组件为发光二极管。10.根据权利要求I所述的具静电放电保护的电子装置,其中还包括一接地导线架,与一参考电位节点电性连接; 其中该接地导线架具有至少一第三放电突出...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡培崧,梁建钦,
申请(专利权)人:隆达电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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