阵列式高压LED器件的制作方法技术

一种阵列式高压LED器件的制作方法，包括：在外延结构的P型氮化镓层上制作掩膜，选择性刻蚀外延结构，形成N型台阶结构；在外延结构的N型氮化镓层的表面制作掩膜，形成隔离的深槽；进行高温硫磷酸腐蚀；在刻蚀后的外延结构的表面沉积绝缘介质层；腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；在相邻的各N型台阶结构之间制作透明导电层；部分腐蚀掉最外侧的N型台阶结构上面的P型氮化镓层表面的透明导电层；在其上制作P金属电极和N金属电极。本发明专利技术可以减少电极吸光，增加芯片外延的侧面与底部出光面积，与后工艺相互配合，可以提高高压发光二极管芯片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别是指一种高光效的阵列式高压LED器件的制作方法。
技术介绍
由于石油能源危机的到来，发展更高效率更省电的电子与照明设备越来越受到重视，在此趋势之下具有省电、环保(不含汞)无污染、寿命长、亮度高、反应快、体积小、高发光效率等优点的发光二极管(Light-Emitting Diode, LED)组件渐渐在照明产业中露出头角，应用范围遍及于日常生活中，例如仪器面板上的指示灯。HV LED是在原DC LED芯片上分立出一定数量的微晶粒，然后将微晶粒通过金属电极互连，将这些微晶粒串联来提高整颗芯片的工作电压，故称之为高压(HV)LED。目前的DCLED产品在应用中存在ー些弊端，如需要与变压器等原件一井使用，且寿命只有2万小时左右，而实际LED芯片的寿命却长达5-10万小时。与之相対，HV LED则无需额外的变压器，只需简短的驱动电路，不仅驱动成本降低，也避免了电路转换过程中能量的损失，因而成为当前具有市场前景的LED产品。
技术实现思路
本专利技术的目的在干，提供一种阵列式高压LED器件的制作方法，该方法采用全透明导电材料进行微晶粒互连，并在深刻蚀之后采用高温酸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列式高压LED器件的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取外延结构，该外延结构包括衬底、N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；步骤2：采用光刻的方法，在外延结构的P型氮化镓层上制作掩膜，选择性刻蚀外延结构，刻蚀深度至N型氮化镓层的表面，在N型氮化镓层上形成N型台阶结构；步骤3：采用光刻的方法，在暴露的外延结构的N型氮化镓层的表面制作掩膜，刻蚀暴露的部分N型氮化镓层，刻蚀深度至衬底的表面，形成隔离的深槽；步骤4：将刻蚀后的外延结构进行高温硫磷酸腐蚀；步骤5：在刻蚀后的外延结构的表面沉积绝缘介质层；步骤6：采用光刻的方法，腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；步骤7：在相邻的各N型台阶结构之间制作透明导...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：詹腾，张杨，李璟，刘志强，伊晓燕，王国宏，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：