静电放电单元、阵列基板和显示面板制造技术

本公开提供了一种静电放电单元、阵列基板和显示面板。该静电放电单元包括：有源层、第一栅极和第二栅极以及第一电极和第二电极，所述第一栅极和所述第二栅极彼此间隔开并与所述有源层相绝缘，所述第一电极和所述第二电极彼此间隔开并分别与所述有源层连接，并且所述第一栅极与所述第一电极电连接，所述第二栅极与所述第二电极电连接。上述静电放电单元在实现双向静电释放的同时降低了静电放电单元的占用空间。

Electrostatic discharge unit, array substrate, and display panel

The present disclosure provides an electrostatic discharge cell, an array substrate, and a display panel. The electrostatic discharge unit includes an active layer, a first gate and the second gate and the first electrode and the second electrode, the first gate and the second gate spaced from each other and are insulated from the active layer and the first electrode and the second electrode spaced from each other and are respectively connected with the active layer, and the first gate electrode and the first electrode is electrically connected to the second gate is electrically connected with the second electrode. The electrostatic discharge unit reduces the occupied space of the electrostatic discharge unit while realizing bidirectional electrostatic discharge.

【技术实现步骤摘要】
静电放电单元、阵列基板和显示面板
本公开实施例涉及一种静电放电单元、阵列基板和显示面板。
技术介绍
在显示装置例如液晶显示器的生产过程中，在如干燥、刻蚀、配向膜摩擦、切割和搬运等的工艺过程都会产生静电。为防止静电对显示装置的损坏，通常例如在显示装置的阵列基板上设置静电放电单元，以释放因静电积聚产生的高电平。公开内容本公开至少一实施例提供一种静电放电单元、阵列基板和显示面板以解决上述问题。本公开至少一实施例提供一种静电放电单元，包括：有源层；第一栅极和第二栅极，其彼此间隔开并与所述有源层相绝缘；以及第一电极和第二电极，其彼此间隔开并分别与所述有源层连接，其中，所述第一栅极与所述第一电极电连接，所述第二栅极与所述第二电极电连接。例如，在本公开至少一实施例提供的静电放电单元中，在垂直于所述有源层的方向上，所述第一栅极和所述第二栅极可以位于所述有源层的不同侧。例如，在本公开至少一实施例提供的静电放电单元中，在垂直于所述有源层的方向上，所述第一栅极和所述第二栅极可以位于所述有源层的同一侧并且同层设置。本公开至少一实施例提供一种阵列基板，包括静电放电单元，其中，所述静电放电单元包括：有源层；第一栅极和第二栅极，其彼此间隔开并与所述有源层相绝缘；以及第一电极和第二电极，其彼此间隔开并分别与所述有源层连接，所述第一栅极与所述第一电极电连接，所述第二栅极与所述第二电极电连接。例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板，还可以包括：第一信号线，与所述第一栅极以及所述第一电极电连接；以及第二信号线，与所述第二栅极以及所述第二电极电连接。例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板，其中，所述第一信号线包括栅线、数据线、公共电极线、电源线、接地线、帧开始扫描线和复位线中的至少一种，以及所述第二信号线包括栅线、数据线、公共电极线、电源线、接地线、帧开始扫描线和复位线中的至少一种。例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述第一信号线为栅线或数据线，所述第二信号线为公共电极线；或所述第一信号线为公共电极线，所述第二信号线为栅线或数据线。例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板包括显示区域和位于所述显示区域外侧的周边区域，以及在垂直于所述有源层的方向上，所述第一栅极和所述第二栅极可以位于所述有源层的不同侧。例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，在所述显示区域中多条栅线和多条数据线彼此交叉限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管连接的像素电极，所述第一栅极与所述栅线及所述薄膜晶体管的栅极同层且同材料设置，所述有源层与所述薄膜晶体管的有源层同层且同材料设置，所述第一电极和所述第二电极与所述数据线及所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层且同材料设置，所述第二栅极与所述像素电极同层且同材料设置。例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，在所述显示区域中多条栅线和多条数据线彼此交叉限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管连接的发光元件，所述发光元件包括阳极、阴极以及夹设在所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述第一栅极与所述栅线及所述薄膜晶体管的栅极同层且同材料设置，所述有源层与所述薄膜晶体管的有源层同层且同材料设置，所述第一电极和所述第二电极与所述数据线及所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层且同材料设置，所述第二栅极与所述阳极或所述阴极同层且同材料设置。例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板包括显示区域和位于所述显示区域外侧的周边区域，以及在垂直于所述有源层的方向上，所述第一栅极和所述第二栅极可以位于所述有源层的同一侧并且同层设置。例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，在所述显示区域中多条栅线和多条数据线彼此交叉限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管连接的像素电极，所述第一栅极和所述第二栅极与所述栅线及所述薄膜晶体管的栅极同层且同材料设置，所述有源层与所述薄膜晶体管的有源层同层且同材料设置，所述第一电极和所述第二电极与所述数据线及所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层且同材料设置。例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，在所述显示区域中多条栅线和多条数据线彼此交叉限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管连接的发光元件，所述发光元件包括阳极、阴极以及夹设在所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述有源层与所述薄膜晶体管的有源层同层且同材料设置，所述第一电极和所述第二电极与所述数据线及所述薄膜晶体管的源电极和漏电极同层且同材料设置，所述第一栅极和所述第二栅极与所述阳极或所述阴极同层且同材料设置。例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板包括显示区域和位于所述显示区域外侧的周边区域，所述静电放电单元设置在所述周边区域中。本公开至少一实施例提供一种显示面板，该显示面板可以包括上述任一的阵列基板。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1为一种双向静电释放的电路图；图2a为本公开一个实施例提供的静电放电单元的一种电路图；图2b为图2a所示静电放电单元的结构示意图；图2c为图2b所示静电放电单元沿C-D的截面示意图；图2d为本公开一个实施例提供的静电放电单元的另一种电路图；图3为本公开一个实施例提供的静电放电单元的一种结构示意图；图4为本公开一个实施例提供的静电放电单元的另一种结构示意图；图5为本公开一个实施例提供的一种阵列基板的平面图；图6为图5所示阵列基板中M区域的截面示意图；以及图7a～图7g为本公开一个实施例提供的一种静电放电单元的制备方法的过程图。附图标记：1-第一端；2-第二端；100-有源层；101-第一有源层；102-第二有源层；210-第一电极；220-第二电极；300-栅电极；310-第一栅极；320-第二栅极；410-第一过孔；420-第二过孔；430-第三过孔；440-第四过孔；500-衬底基板；510-栅绝缘层；520-绝缘层；610-第一信号线；620-第二信号线；1000-显示区域；2000-周边区域。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电单元，包括：有源层；第一栅极和第二栅极，其彼此间隔开并与所述有源层相绝缘；以及第一电极和第二电极，其彼此间隔开并分别与所述有源层连接，其中，所述第一栅极与所述第一电极电连接，所述第二栅极与所述第二电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种静电放电单元，包括：有源层；第一栅极和第二栅极，其彼此间隔开并与所述有源层相绝缘；以及第一电极和第二电极，其彼此间隔开并分别与所述有源层连接，其中，所述第一栅极与所述第一电极电连接，所述第二栅极与所述第二电极电连接。2.根据权利要求1所述的静电放电单元，其中，在垂直于所述有源层的方向上，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述有源层的不同侧。3.根据权利要求1所示的静电放电单元，其中，在垂直于所述有源层的方向上，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述有源层的同一侧并且同层设置。4.一种阵列基板，包括静电放电单元，其中，所述静电放电单元包括：有源层；第一栅极和第二栅极，其彼此间隔开并与所述有源层相绝缘；以及第一电极和第二电极，其彼此间隔开并分别与所述有源层连接，所述第一栅极与所述第一电极电连接，所述第二栅极与所述第二电极电连接。5.根据权利要求4所述的阵列基板，还包括：第一信号线，与所述第一栅极以及所述第一电极电连接；以及第二信号线，与所述第二栅极以及所述第二电极电连接。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述第一信号线为栅线、数据线、公共电极线、电源线、接地线、帧开始扫描线和复位线中的至少一种，以及所述第二信号线为栅线、数据线、公共电极线、电源线、接地线、帧开始扫描线和复位线中的至少一种。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第一信号线为栅线或数据线，所述第二信号线为公共电极线；或所述第一信号线为公共电极线，所述第二信号线为栅线或数据线。8.根据权利要求4-7任一项所述的阵列基板，其中，所述阵列基板包括显示区域和位于所述显示区域外侧的周边区域，以及在垂直于所述有源层的方向上，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述有源层的不同侧。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，在所述显示区域中多条栅线和多条数据线彼此交叉限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管连接的像素电极，所述第一栅极与所述栅线及所述薄膜晶体管的栅极同层且同材料设置，所述有源层与所述薄膜晶体管的有源层同层且同材料设置，所述第一电极和所述第二电极与所述数据线及所述薄膜晶体管的源电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张淼，孙静，傅武霞，孙松梅，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34