The invention provides a micro LED display panel, the array substrate array has a plurality of pixel units, each pixel unit includes at least three color pixel unit, each pixel unit is provided with at least one corresponding to the pixel unit color micro light emitting diode grain, the same color sub pixels unit two adjacent pixel unit in micro level Bin light emitting diode grain with different peak wavelength difference > 2nm. The invention also provides a method of making micro light emitting diode grain from the transfer plate onto the corresponding sub pixel array substrate in sub-pixel units through the transfer will correspond to the color transfer, each micro light emitting diode grain color and Bin, the two adjacent pixel unit in the same color sub pixel units within the micro level Bin light emitting diode grain with different peak wavelength difference > 2nm. Compared with the prior art, the utility model effectively improves the uniformity of the color and brightness of the light emitting diode display panel.
【技术实现步骤摘要】
微发光二极管显示面板及制作方法
本专利技术涉及一种显示
,特别是一种微发光二极管显示面板及制作方法。
技术介绍
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。微发光二极管(MicroLED,μLED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器,同大尺寸的户外LED显示屏一样,每一个像素可定址、单独驱动点亮,可以看成是户外LED显示屏的缩小版,将像素点距离从毫米级降低至微米级,μLED显示器和有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示器一样属于自发光显示器,但μLED显示器相比OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点,被认为是OLED显示器的最大竞争对手。微转印(MicroTransferPrinting)技术是目前制备μLED显示装置的主流方法,具体制备过程为:首先在蓝宝石类基板生长出微发光二极管,然后通过激光剥离技术(Laserlift-off,LLO)将微发光二极管裸芯片(barechip)从蓝宝石类基板上分离开,随后使用一个图案化的聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)传送头将微发光二极管裸芯片从蓝宝石类基板吸附起来,并将PDMS传送头与接收基板进行对位,随后将PDMS传送头所吸附的微发光二极管裸芯片贴附到接收基板上预设的位置,再剥离PDMS传送头,即可完成将微发光二极管裸芯 ...
【技术保护点】
一种微发光二极管显示面板,包括阵列基板(1),其特征在于:所述阵列基板(1)上阵列排布有多个像素单元,每个像素单元至少包括R、G、B三色的子像素单元(4),每个子像素单元(4)中均设有至少一个与该子像素单元(4)颜色相对应的微发光二极管晶粒(2),相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元(4)的微发光二极管晶粒(2)的Bin级不同且峰值波长差值>2nm,从而将不同Bin级的微发光二极管晶粒(2)混合排布。
【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示面板,包括阵列基板(1),其特征在于:所述阵列基板(1)上阵列排布有多个像素单元,每个像素单元至少包括R、G、B三色的子像素单元(4),每个子像素单元(4)中均设有至少一个与该子像素单元(4)颜色相对应的微发光二极管晶粒(2),相邻两个像素单元中颜色相同的子像素单元(4)的微发光二极管晶粒(2)的Bin级不同且峰值波长差值>2nm,从而将不同Bin级的微发光二极管晶粒(2)混合排布。2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板,其特征在于:每个子像素单元(4)至少由两个颜色相同、Bin级不同且峰值波长差值>2nm的微发光二极管晶粒(2)混合排布而成。3.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板,其特征在于:所述阵列基板(1)上划分有n个排布区(3),每个排布区(3)中R、G、B子像素单元(4)分别采用对应颜色的m种Bin级的微发光二极管晶粒(2)混合排布,其中,2<n<m,所述m和n均为正整数。4.根据权利要求3所述的微发光二极管显示面板,其特征在于:每个排布区(3)中每种Bin级的微发光二极管晶粒(2)的个数为m/n个。5.根据权利要求3或4所述的微发光二极管显示面板,其特征在于:每个排布区(3)中相邻两个颜色相同的微发光二极管晶粒(2)的峰值波长差值>2nm。6.一种微发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于:包括如下步骤:提供一阵列基板(1);在阵列基板(1)的像素单元中的...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈黎暄,陈孝贤,李泳锐,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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