一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可确保第一漏极接触孔与触控信号线接触孔不连通，且不影响触控电极和触控信号线的搭接。该方法包括：在衬底基板上形成金属层，所述金属层包括漏极和触控信号线；形成第一钝化层和平坦层，所述第一钝化层和所述平坦层上具有第一漏极接触孔和触控信号线接触孔，以分别露出漏极和触控信号线；其中，所述第一钝化层靠近所述金属层，且所述第一钝化层通过干刻工艺形成；形成触控电极，所述触控电极穿过所述第一钝化层和所述平坦层上的所述触控信号线接触孔与所述触控信号线相连接。用于制备阵列基板。

Array substrate, preparation method thereof and display device

The embodiment of the invention provides an array substrate and a preparation method thereof, display device, relates to the technical field of display, can ensure that the first drain contact hole and the touch signal line contact hole is overlapped and does not affect the touch electrode and the touch control signal line. The method includes forming a metal layer on a substrate, the metal layer includes a drain and a touch control signal line; forming a first passivation layer and a flat layer, the first passivation layer and the flat layer has a first drain contact hole and a touch control signal line contact hole, to respectively expose the drain and the touch control signal among them, the line; the first passivation layer near the metal layer and the first passivation layer by dry etching process to form; form the touch electrode, the touch electrode through the first passivation layer and the touch control signal line flat layer on the contact hole and the touch control signal line is connected. Used to prepare array substrates.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，触控屏(TouchPanel)技术进入快速发展时期，触控屏按照触控电极的设置位置可以分为外挂式触控屏和内嵌式触控屏，内嵌式触控屏可以分为：外置式触摸屏(OncellTouchPanel)和嵌入式触摸屏(InCellTouchPanel)。其中，InCell触控屏又可分为复合内嵌式(HybridInCell，简称HIC)触控屏和完全内嵌式(FullInCell，简称FIC)触控屏。目前，高分辨率(PixelsPerInch，简称PPI)的InCell触摸屏已成为触控屏的主要发展方向。现有技术中，InCell触摸屏的结构如图1(a)所示，包括依次设置在衬底基板10上的金属层、平坦层40、触控电极50、钝化层60以及像素电极70，其中，金属层包括漏极20和触控信号线30，漏极20穿过平坦层40和钝化层60上的过孔与像素电极70相连接，触控信号线30穿过平坦层40上的过孔与触控电极50相连接。由于平坦层40上设置有漏极接触孔和触控信号线接触孔，而对于高PPI的InCell触摸屏来说，每个亚像素区域的尺寸都较小，因而实际制作时平坦层40上的漏极接触孔和触控信号线接触孔之间的距离小于5μm。此外，平坦层40的材料一般为有机材料，例如亚克力，因而平坦层40上的过孔常采用曝光、显影工艺形成。然而，由于平坦层40的厚度较大，因而显影过程不易掌控过孔的关键尺寸(CriticalDimension，简称CD)、角度(Profile)以及与其它孔的重叠程度(Overlay)，因而平坦层40上的漏极接触孔和触控信号线接触孔可能会连在一起，从而会导致不良。InCell触摸屏实际制作过程中，由于漏极20既需要与有源层相连，又需要穿过平坦层40和钝化层60上的过孔与像素电极70相连，因而平坦层40上的漏极接触孔的位置不能移动。如图1(b)所示，为了避免平坦层40上的漏极接触孔和触控信号线接触孔连通，因而制作时可能会将平坦层40上的触控信号线接触孔向远离漏极接触孔方向移动，以使平坦层40上的漏极接触孔和触控信号线接触孔之间的距离大于5μm。然而，触控信号线30的材料为如图2(a)和图2(b)所示的Ti/Al/Ti(钛/铝/钛)叠层材料，由于触控信号线30较细，因而触控信号线接触孔移动后，如图2(a)所示触控信号线接触孔远离漏极20的一侧会悬空，这样在采用曝光、显影形成平坦层40上的过孔时，如图2(b)所示，显影液会腐蚀触控信号线30中的Al，从而导致Al内缩，进而导致触控电极50与触控信号线30的搭接不良，影响产品显示画面的品质和触控性能。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可确保漏极接触孔与触控信号线接触孔不连通，且不影响触控电极和触控信号线的搭接。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成金属层，所述金属层包括漏极和触控信号线；形成第一钝化层和平坦层，所述第一钝化层和所述平坦层上具有第一漏极接触孔和触控信号线接触孔，以分别露出漏极和触控信号线；其中，所述第一钝化层靠近所述金属层，且所述第一钝化层通过干刻工艺形成；形成触控电极，所述触控电极穿过所述第一钝化层和所述平坦层上的所述触控信号线接触孔与所述触控信号线相连接。优选的，形成第一钝化层和平坦层，具体包括：利用干刻工艺形成第一钝化层，所述第一钝化层具有第一触控信号线接触孔和第一子漏极接触孔；形成平坦层，所述平坦层具有第二触控信号线接触孔和第二子漏极接触孔；其中，所述第一触控信号线接触孔和所述第二触控信号线接触孔连通，以形成触控信号线接触孔，所述第一子漏极接触孔和所述第二子漏极接触孔连通，以形成第一漏极接触孔。进一步优选的，形成平坦层，具体包括：通过曝光、显影工艺形成平坦层。优选的，形成第一钝化层和平坦层，具体包括：形成第一钝化层薄膜；形成平坦层薄膜，对所述平坦层薄膜进行固化；利用干刻工艺同时对所述第一钝化层薄膜和固化后的所述平坦层薄膜进行刻蚀，以形成触控信号线接触孔和第一漏极接触孔。优选的，所述第一钝化层的厚度小于所述平坦层的厚度。优选的，在形成触控电极之后，所述方法还包括：形成第二钝化层，所述第二钝化层具有第二漏极接触孔，所述第一漏极接触孔与所述第二漏极接触孔连通；形成像素电极，所述像素电极穿过所述第一漏极接触孔和所述第二漏极接触孔与所述漏极相连接。优选的，在形成金属层之前，所述方法还包括：在衬底基板上形成遮光图案；所述遮光图案位于所述阵列基板的像素界定区；在形成有所述遮光图案的衬底基板上形成缓冲层；在形成有所述缓冲层的衬底基板上形成有源层；在形成有所述有源层的衬底基板上形成栅绝缘层；在形成有所述栅绝缘层上的衬底基板上形成栅极；在形成有所述栅极的衬底基板上形成中间介电层；所述漏极穿过所述中间介电层和所述栅绝缘层与所述有源层接触。第二方面，提供一种阵列基板，包括衬底基板以及依次设置在衬底基板上的金属层、第一钝化层、平坦层和触控电极；所述金属层包括源漏极和触控信号线；其中，所述第一钝化层和所述平坦层上具有第一漏极接触孔和触控信号线接触孔，所述触控电极穿过触控信号线接触孔与所述触控信号线相连接；所述第一钝化层通过干刻工艺形成。优选的，所述阵列基板还包括设置在触控电极上的第二钝化层和像素电极；所述第二钝化层具有第二漏极接触孔，所述第一漏极接触孔和所述第二漏极接触孔连通，所述像素电极穿过所述第一漏极接触孔和所述第二漏极接触孔与所述漏极相连接。优选的，所述阵列基板还包括依次设置在所述衬底基板和所述金属层之间的遮光图案、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极和中间介电层；其中，所述源漏极穿过所述中间介电层和所述栅绝缘层上的过孔与所述有源层接触，所述遮光图案靠近所述衬底基板设置。第三方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，由于金属层上形成有第一钝化层和平坦层，第一钝化层通过干刻工艺形成，而干刻工艺对过孔的关键尺寸、角度以及与其它孔的重叠程度易于控制，因而可以避免第一钝化层上的第一漏极接触孔和触控信号线接触孔连通。在此基础上，在第一钝化层上形成平坦层，若平坦层上的过孔采用曝光、显影工艺形成，即使平坦层上的触控信号线接触孔向远离第一漏极接触孔的方向移动，由于形成平坦层过孔的显影液不会腐蚀第一钝化层，因而平坦层成孔时便不会腐蚀到触控信号线的侧边；若平坦层上的过孔采用干刻工艺形成，一方面，干刻工艺形成的过孔关键尺寸、角度以及与其它孔的重叠程度易于控制，另一方面，即使平坦层上的触控信号线接触孔向远离第一漏极接触孔的方向移动，干刻工艺所采用的刻蚀气体也不会腐蚀到触控信号线，因而在金属层上形成第一钝化层，第一钝化层采用干刻工艺形成可确保第一漏极接触孔与触控信号线接触孔不连接，且不影响触控电极和触控信号线的搭接。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成金属层，所述金属层包括漏极和触控信号线；形成第一钝化层和平坦层，所述第一钝化层和所述平坦层上具有第一漏极接触孔和触控信号线接触孔，以分别露出漏极和触控信号线；其中，所述第一钝化层靠近所述金属层，且所述第一钝化层通过干刻工艺形成；形成触控电极，所述触控电极穿过所述第一钝化层和所述平坦层上的所述触控信号线接触孔与所述触控信号线相连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成金属层，所述金属层包括漏极和触控信号线；形成第一钝化层和平坦层，所述第一钝化层和所述平坦层上具有第一漏极接触孔和触控信号线接触孔，以分别露出漏极和触控信号线；其中，所述第一钝化层靠近所述金属层，且所述第一钝化层通过干刻工艺形成；形成触控电极，所述触控电极穿过所述第一钝化层和所述平坦层上的所述触控信号线接触孔与所述触控信号线相连接。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成第一钝化层和平坦层，具体包括：利用干刻工艺形成第一钝化层，所述第一钝化层具有第一触控信号线接触孔和第一子漏极接触孔；形成平坦层，所述平坦层具有第二触控信号线接触孔和第二子漏极接触孔；其中，所述第一触控信号线接触孔和所述第二触控信号线接触孔连通，以形成触控信号线接触孔，所述第一子漏极接触孔和所述第二子漏极接触孔连通，以形成第一漏极接触孔。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成平坦层，具体包括：通过曝光、显影工艺形成平坦层。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成第一钝化层和平坦层，具体包括：形成第一钝化层薄膜；形成平坦层薄膜，对所述平坦层薄膜进行固化；利用干刻工艺同时对所述第一钝化层薄膜和固化后的所述平坦层薄膜进行刻蚀，以形成触控信号线接触孔和第一漏极接触孔。5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的厚度小于所述平坦层的厚度。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成触控电极之后，所述方法还包括：形成第二钝化层，所述第二钝化层具有第二漏极接触孔，所述第一漏极接触孔与所述第二漏极接触孔连通；...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘弘，王凤国，史大为，武新国，王子峰，李峰，郭志轩，马波，李元博，段岑鸿，赵晶，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11