一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可确保第一漏极接触孔与触控信号线接触孔不连通，且不影响触控电极和触控信号线的搭接。该方法包括：在衬底基板上形成金属层，所述金属层包括漏极和触控信号线；形成第一钝化层和平坦层，所述第一钝化层和所述平坦层上具有第一漏极接触孔和触控信号线接触孔，以分别露出漏极和触控信号线；其中，所述第一钝化层靠近所述金属层，且所述第一钝化层通过干刻工艺形成；形成触控电极，所述触控电极穿过所述第一钝化层和所述平坦层上的所述触控信号线接触孔与所述触控信号线相连接。用于制备阵列基板。

Array substrate, preparation method thereof and display device

The embodiment of the invention provides an array substrate and a preparation method thereof, display device, relates to the technical field of display, can ensure that the first drain contact hole and the touch signal line contact hole is overlapped and does not affect the touch electrode and the touch control signal line. The method includes forming a metal layer on a substrate, the metal layer includes a drain and a touch control signal line; forming a first passivation layer and a flat layer, the first passivation layer and the flat layer has a first drain contact hole and a touch control signal line contact hole, to respectively expose the drain and the touch control signal among them, the line; the first passivation layer near the metal layer and the first passivation layer by dry etching process to form; form the touch electrode, the touch electrode through the first passivation layer and the touch control signal line flat layer on the contact hole and the touch control signal line is connected. Used to prepare array substrates.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，触控屏(TouchPanel)技术进入快速发展时期，触控屏按照触控电极的设置位置可以分为外挂式触控屏和内嵌式触控屏，内嵌式触控屏可以分为：外置式触摸屏(OncellTouchPanel)和嵌入式触摸屏(InCellTouchPanel)。其中，InCell触控屏又可分为复合内嵌式(HybridInCell，简称HIC)触控屏和完全内嵌式(FullInCell，简称FIC)触控屏。目前，高分辨率(PixelsPerInch，简称PPI)的InCell触摸屏已成为触控屏的主要发展方向。现有技术中，InCell触摸屏的结构如图1(a)所示，包括依次设置在衬底基板10上的金属层、平坦层40、触控电极50、钝化层60以及像素电极70，其中，金属层包括漏极20和触控信号线30，漏极20穿过平坦层40和钝化层60上的过孔与像素电极70相连接，触控信号线30穿过平坦层40上的过孔与触控电极50相连接。由于平坦层40上设置有漏极接触孔和触控信号线接触孔，而对于高P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成金属层，所述金属层包括漏极和触控信号线；形成第一钝化层和平坦层，所述第一钝化层和所述平坦层上具有第一漏极接触孔和触控信号线接触孔，以分别露出漏极和触控信号线；其中，所述第一钝化层靠近所述金属层，且所述第一钝化层通过干刻工艺形成；形成触控电极，所述触控电极穿过所述第一钝化层和所述平坦层上的所述触控信号线接触孔与所述触控信号线相连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成金属层，所述金属层包括漏极和触控信号线；形成第一钝化层和平坦层，所述第一钝化层和所述平坦层上具有第一漏极接触孔和触控信号线接触孔，以分别露出漏极和触控信号线；其中，所述第一钝化层靠近所述金属层，且所述第一钝化层通过干刻工艺形成；形成触控电极，所述触控电极穿过所述第一钝化层和所述平坦层上的所述触控信号线接触孔与所述触控信号线相连接。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成第一钝化层和平坦层，具体包括：利用干刻工艺形成第一钝化层，所述第一钝化层具有第一触控信号线接触孔和第一子漏极接触孔；形成平坦层，所述平坦层具有第二触控信号线接触孔和第二子漏极接触孔；其中，所述第一触控信号线接触孔和所述第二触控信号线接触孔连通，以形成触控信号线接触孔，所述第一子漏极接触孔和所述第二子漏极接触孔连通，以形成第一漏极接触孔。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成平坦层，具体包括：通过曝光、显影工艺形成平坦层。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成第一钝化层和平坦层，具体包括：形成第一钝化层薄膜；形成平坦层薄膜，对所述平坦层薄膜进行固化；利用干刻工艺同时对所述第一钝化层薄膜和固化后的所述平坦层薄膜进行刻蚀，以形成触控信号线接触孔和第一漏极接触孔。5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的厚度小于所述平坦层的厚度。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成触控电极之后，所述方法还包括：形成第二钝化层，所述第二钝化层具有第二漏极接触孔，所述第一漏极接触孔与所述第二漏极接触孔连通；...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘弘，王凤国，史大为，武新国，王子峰，李峰，郭志轩，马波，李元博，段岑鸿，赵晶，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11