【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及蚀刻制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
在目前的液晶显示面板阵列基板制造过程中，对各层的薄膜刻蚀有干法刻蚀和湿法刻蚀两种，对于一般的a-s1、SiNx, S1x以及一些金属膜的刻蚀，多采用干法刻蚀。但是，在干法刻蚀机刻蚀过程中，基板表面静电累积过多时，会发生异常放电，造成静电击伤基板；而且干法刻蚀机下部电极上的吸附，是利用静电进行吸附基板，若刻蚀完成后，静电卸载不完全时，顶针在上升过程易造成基板破裂。
技术实现思路
本专利技术涉及一种，可降低阵列基板薄膜在蚀刻时受静电的损坏。本专利技术提供一种干式蚀刻装置，用于阵列基板的蚀刻，所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置。其中，所述底壁上位于所述所述第二电极的两侧位置设有绝缘挡板。其中，所述底壁上与所述绝缘挡板相邻位置设...
【技术保护点】
一种干式蚀刻装置，用于阵列基板的蚀刻，其特征在于，所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘思洋，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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