【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光装置和一种发光设备。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种半导体装置，能够在向其施加电流时由于在P型半导体层和n型半导体层之间的ρ-η结处发生电子-空穴复合而发射各种颜色的光。这种LED相比于基于灯丝的发光装置的优点在于，这种LED具有长寿命、低功耗、优异的初始操作特性等。这些因素已经持续地促进了对LED的需求。近来值得注意的是，大量的注意力已经被吸引到能够发射蓝色/短波长区域的光的第III族氮化物半导体。由于对氮化物半导体装置的开发，已经对扩大其应用范围做出了技术上的改进。因此，对于确定如何在普通的照明设备和电器照明源方面利用氮化物半导体装置正开展大量的研究。根据现有技术，氮化物发光装置已经用作在低电流低输出移动产品中采用的组件。然而，近来，氮化物发光装置的应用范围已经扩大到涵盖高电流高输出产品的领域。同时，在利用LED制造发光设备的情况下，齐纳(Zener) 二极管用来保护LED免受静电放电(ESD)电压的影响。通常，这种齐纳二极管与LED —起安装在封装件中。然而，额外需要在封装件中安装齐纳二极管的工艺。此外，齐纳二极管自身和用...
【技术保护点】
一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：发光二极管部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；第一连接电极，将发光二极管部的第一导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第二导电类型半导体层；第二连接电极，将发光二极管部的第二导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第一导电类型半导体层；绝缘部，覆盖第一连接电极和第二连接电极，并且具有使第一连接电极和第二连接电极的至少一部分被暴露的开口区域；以及第一焊盘电极和第二焊盘电极，第一焊盘电...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：梁钟隣，金泰亨，申永澈，李泰泫，宋尚烨，金台勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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