CMOS影像传感器的像元结构及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及CMOS影像传感器
，尤其涉及一种CMOS影像传感器的像元结构及其制造方法。
技术介绍
CMOS影像传感器由于其与CMOS工艺兼容的特点，从而得到快速发展。相对于CXD工艺，其工艺完全与CMOS工艺兼容，其通过将光敏元件和CMOS处理电路一起做在硅衬底上，从而在保证性能的基础上大幅度降低了成本，同时可以大幅度提高集成度，制造像素更闻的广品。传统CMOS影像传感器是使用正面光照的方法，将光敏元件和CMOS处理电路一起 做在硅衬底上使用同一层次实现，而芯片互连则制造在CMOS处理电路之上，光敏元件之上为了光线的通过而不进行互连线的排步。然而，常规半导体材料的透光性较差，因此需要把光敏元件上面的介质层次全部去除，并填充透光材料，以增强其光吸收。然而，随着像元尺寸减小，相邻像元之间的间距也随着急剧减小，当光线入射时，会使光线经过折射和多次反射穿过相邻像元之间区域到达旁边一个像元，这会引起像元之间的光学串扰，导致像元图像信号灵敏度、分辨率和清晰度变差，芯片性能变差。因此，如何减小相邻像元之间的光学串扰，是本领域技术人员亟待解决的技术难题之一。专利技术内...
【技术保护点】
一种CMOS影像传感器的像元结构，其包括硅衬底上的光敏元件和用于标准CMOS器件的多层结构，该多层结构包括第一多晶硅层、第一金属互连层、第一接触孔层、第一通孔层和第一互连介质层，在所述光敏元件上方具有形成透光空间的深沟槽，其特征在于：所述光敏元件上方的深沟槽侧壁内侧由光线反射屏蔽层环绕，所述光线反射屏蔽层在纵向上连续排布，以反射入射到所述光线反射屏蔽层的光线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵宇航，康晓旭，顾学强，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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