CMOS影像传感器的深沟槽图形化方法技术

本发明专利技术公开了一种CMOS影像传感器的深沟槽图形化方法，包括：利用标准CMOS工艺在硅衬底上制备光敏元件和用于CMOS器件的多层结构，光敏元件上方定义深沟槽图形，光敏元件上方自下而上制备栅极氧化层、刻蚀阻挡层和互连介质层；刻蚀光敏元件上方的互连介质层，并停留在刻蚀阻挡层上；刻蚀刻蚀阻挡层，并停留在栅极氧化层上；深沟槽图形化完成。本发明专利技术可以实现整个硅片内深沟槽刻蚀的均匀性，并能够防止过刻蚀造成的损伤和欠刻蚀带来的透光性问题，提高了工艺窗口和像元的灵敏度，提升了芯片的性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CMOS影像传感器
，尤其涉及一种CMOS影像传感器的深沟槽图形化方法。
技术介绍
CMOS影像传感器由于其与CMOS工艺兼容的特点，从而得到快速发展。相对于CXD工艺，其工艺完全与CMOS工艺兼容，其通过将光敏二极管和CMOS处理电路一起做在硅衬底上，从而在保证性能的基础上大幅度降低了成本，同时可以大幅度提高集成度，制造像素更闻的广品。传统CMOS影像传感器是使用正面光照的方法，将光敏二极管和CMOS处理电路一起做在硅衬底上使用同一层次实现，而芯片互连则制造在CMOS处理电路之上，光敏二极管 之上为了光线的通过而不进行互连线的排步。然而，常规半导体材料的透光性较差，因此需要把光敏二极管上面的介质层次全部去除，并填充透光材料，以增强其光吸收。然而，由于后道互连层次较多、厚度较厚，且薄膜层次比较复杂，因此，在移除光敏二极管上面介质层工艺中，如何能较好地控制工艺的均匀性和稳定性，是本领域技术人员面临的技术难题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于弥补上述现有技术的不足，提供一种CMOS影像传感器的深沟槽图形化方法。本专利技术的CMOS影像传感器的深沟槽图形化方法，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS影像传感器的深沟槽图形化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：利用标准CMOS工艺在硅衬底上制备光敏元件和用于CMOS器件的多层结构，在光敏元件上方定义深沟槽图形，且光敏元件上方自下而上制备a.栅极氧化层、b.刻蚀阻挡层和c.互连介质层，其中，刻蚀阻挡层包括第一多晶硅层或第一金属层；步骤S02：以该深沟槽图形刻蚀去除光敏元件上方的互连介质层，并停留在刻蚀阻挡层上；步骤S03：以该深沟槽图形刻蚀去除刻蚀阻挡层，并停留在栅极氧化层上；步骤S04：深沟槽图形化完成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，赵宇航，袁超，左青云，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：