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本发明公开了一种CMOS影像传感器的深沟槽图形化方法，包括：利用标准CMOS工艺在硅衬底上制备光敏元件和用于CMOS器件的多层结构，光敏元件上方定义深沟槽图形，光敏元件上方自下而上制备栅极氧化层、刻蚀阻挡层和互连介质层；刻蚀光敏元件上方的互...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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