用于电熔丝的静电放电保护结构制造技术
Electrostatic discharge protection structure for electric fuse
The invention relates to an electrostatic discharge protection structure for an electric fuse, relating to a semiconductor structure, and more specifically, an electrostatic discharge (ESD) protection structure for an electrical fuse. The structure includes an electrostatic discharge (ESD) protection structure that is effectively coupled to an electrical fuse, and the ESD protection structure is structured to prevent unintended programming of the fuse due to an ESD event from the source.
【技术实现步骤摘要】
用于电熔丝的静电放电保护结构
本专利技术是关于半导体结构，并且更具体地说，是关于用于电熔丝的静电放电(ESD)保护结构。
技术介绍
电熔丝是一种容许计算机芯片动态实时再编程的技术。芯片制造商通过利用一组电熔丝，可容许芯片上的电路在芯片运作时变化。此技术的主要应用在于提供芯片内效能调整。举例而言，若某些子系统故障，或回应所花的时间太长，或消耗太多电力，芯片可通过“熔断”(或编程)电熔丝，立刻变更其行为。按照设计，电熔丝对大电流及电压敏感，例如：1.5伏特(V)维持100纳秒(ns)。举例而言，通过强迫大电流通过电熔丝，可将电熔丝熔断或编程；破坏电熔丝结构，导致电开路。在ESD事件期间，供应器上的电压会升高至数伏特的高位准。由于产生编程启用信号的控制电路及电路系统的供应电压在ESD事件期间未经主动供电，这些电路的输出在ESD事件期间处于未界定状态。这可能建立不希望的电熔丝编程条件。结果是，目前使用的电熔丝面临到不理想的ESD事件期间可能出现的高电压及电流将电熔丝编程的风险。具体而言，在电熔丝电路(称为Vf源)的供应轨上的负脉冲期间，ESD电流主要会通过ESD装置，然而...
【技术保护点】
一种包含静电放电(ESD)保护结构的结构，该静电放电保护结构有效耦合至电熔丝，该静电放电保护结构经结构化以防止因源于来源的ESD事件而导致该电熔丝的非刻意编程。
【技术特征摘要】
2015.12.16 US 14/971,6441.一种包含静电放电(ESD)保护结构的结构，该静电放电保护结构有效耦合至电熔丝，该静电放电保护结构经结构化以防止因源于来源的ESD事件而导致该电熔丝的非刻意编程。2.根据权利要求1所述的结构，其中，该静电放电保护结构为与该电熔丝并联形成的二极管，其中，该电熔丝与该二极管的两端点为各自共用的端点。3.根据权利要求2所述的结构，其中，该二极管的所述端点的其中一个直接耦合至该来源。4.根据权利要求2所述的结构，其中，该二极管在该ESD事件期间为顺偏，而在正常操作期间为逆偏。5.根据权利要求4所述的结构，其中，该二极管在负脉冲期间遭受箝制，使得来自FET网络的寄生电流不会非刻意编程该电熔丝。6.根据权利要求1所述的结构，其中，该静电放电保护结构为与该电熔丝串联形成的二极管。7.根据权利要求6所述的结构，其中，该二极管在该ESD事件期间为逆偏，而在正常操作期间为顺偏。8.根据权利要求7所述的结构，其中，该二极管防止电压跨布该电熔丝高于其阈值形成。9.根据权利要求6所述的结构，其中，该二极管串联耦合至一排电熔丝。10.根据权利要求6所述的结构，其中，该二极管介于该电熔丝与FET网络之间。11.根据权利要求1所述的结构，其中，该静电放电保护结构为与该电熔丝并联的FET。12.根据权利要求1所述的结构，其中，该静电放电保护结构为与该电熔丝串联的...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·F·卢瓦索，J·M·卢凯特伊斯，E·G·盖布雷塞拉西，R·A·波勒，A·D·斯特里克，A·Y·吉纳维，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY
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