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本发明涉及一种用于电熔丝的静电放电保护结构，是关于半导体结构，并且更具体地说，是关于用于电熔丝的静电放电(ESD)保护结构。本结构包括一种有效耦合至电熔丝的静电放电(ESD)保护结构，该ESD保护结构经结构化以防止因源于来源的ESD事件而导...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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