【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子
，特别是涉及一种智能电能表专用EEPROM存储芯片。
技术介绍
随着电子设备的日益发展普及，半导体存储器技术近年来得到了快速的发展。半导体存储器可以分为挥发性和非挥发性两大类型，其中，以EEPROM和Flash为代表的非挥发性半导体存储器在通信、航天、电网那个等诸多领域都得到了广泛的应用。以电网领域为例，随着国家智能电网建设的深入，存储芯片的市场整体需求变得越来越大，加之智能电表的设计寿命一般为8 10年，一般使用5年即更换，市场需求还具有极强的持续性。目前市场上的存储芯片一般为通用EEPROM或Flash存储芯片，参照图1，示出了现有EEPROM存储单元结构的示意图，包括衬底材料11、覆盖于材料11表面的浮栅介质层17 和选择栅介质层19、位于选择栅介质层19之上的选择栅电极14、位于浮栅介质层17之上的浮栅12、覆盖于浮栅12之上的电荷阻挡层18、位于电荷阻挡层之上的控制栅13以及形成于衬底材料11上的源极15和漏极16 ;现有通用存储芯片一般采用MNOS、SONOS或双层多晶硅工艺制成，其缺点是，以上述存储单元结构组成的存储阵列...
【技术保护点】
一种智能电能表专用EEPROM存储芯片，其特征在于，所述存储芯片包括由纳米晶存储单元构成的存储阵列，其中：所述纳米晶存储单元包括：半导体衬底材料及在其衬底区域重掺杂形成的源导电区和漏导电区，覆盖于所述源导电区和漏导电区之间沟道表面的隧穿介质层，所述隧穿介质层上覆盖的纳米晶存储层，包围或覆盖所述纳米晶存储层的隔离介质层，以及，所述隔离介质层之上覆盖的晶体管控制栅；所述存储阵列采用EEPROM、NOR？Flash、DiNOR、DuSNOR或其他可实现对阵列中每个存储单元进行随机寻址、编程和擦除操作的架构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘璟，谢伟东，李天石，田漪婷，
申请(专利权)人：北京天中磊智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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