电容器结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种电容器结构及其制造方法，所述电容器结构包括衬底、导体层、中间介电材料层、第一介电材料层与第二介电材料层。所述导体层包括第一电极与第二电极，位于所述衬底上。所述中间介电材料层位于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一介电材料层，位于所述中间介电材料层与所述第一电极之间。所述第二介电材料层位于所述中间介电材料层与所述第二电极之间。所述中间介电材料层的介电常数，与所述第一介电材料层以及所述第二介电材料层的介电常数不同。本发明专利技术实施例可以提升电容器单位面积的电容量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别是涉及一种电容器及其制造方法。
技术介绍
随着科技的进步，半导体元件的应用愈来愈广，举凡电脑、通讯与消费性电子产品，都需要大量使用具有不同功能的半导体元件。因此，针对不同需求制造而成的半导体元件，即所谓的特殊应用集成电路(Applicat1n Specific Integrated Circuit, ASIC),已成为目前用以满足客户需求的方式之一。将电容器与互补式金属氧化物半导体(CMOS)元件整合在一起的混合模式电路(Mixed-Mode Circuit,MMC)是一种特殊应用的集成电路。在前述的混合模式电路中，电容器是一个基本且重要的元件。尤其对模拟电路，例如:取样保留(Sample and Hold)、模拟数字(Analog/Digital,A/D)、数字模拟(Digital/Analog,D/A)及交换电容过滤器(SwitchedCapacitor Filter)等基本建构区组(Basic Building Block)而言，电容器更是不可或缺的元件。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电容器，可以增加单位面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器，其特征在于，包括：衬底；导体层，包括第一电极与第二电极，位于所述衬底上；中间介电材料层，位于所述第一电极与所述第二电极之间；第一介电材料层，位于所述中间介电材料层与所述第一电极之间；以及第二介电材料层，位于所述中间介电材料层与所述第二电极之间，其中，所述中间介电材料层的介电常数，与所述第一介电材料层以及所述第二介电材料层的介电常数不同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛永吉，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71