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本发明涉及一种半导体器件。提供了一种能够促进移动电话等中使用的RF功率模块的微型化的技术。在其中形成了RF功率模块的放大部分的半导体芯片内，形成定向耦合器。定向耦合器的副线与耦合到LDMOSFET的漏区的漏极导线形成在同一层中，所述LDMO...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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