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本发明公开了一种双导通半导体组件包括具有一第一导电类型的一半导体基底、具有一第二导电类型的一第一基体掺杂区与一第二基体掺杂区以及一栅极绝缘层。半导体基底具有一第一沟槽，且第一基体掺杂区与第二基体掺杂区分别设于第一沟槽的两侧的半导体基底中。栅...
该专利属于大中积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大中积体电路股份有限公司授权不得商用。

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