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一种低导通电阻功率半导体组件，包括一具有外延层的基板、一栅极结构、一终端结构及一图案化导电层，其中，该外延层具有一第一沟渠及一第二沟渠，该栅极结构设置于该第一沟渠并包括一栅极电极及一设置于该栅极电极之下方的遮蔽电极，该终端结构设置于该第二沟...
该专利属于大中积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大中积体电路股份有限公司授权不得商用。

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