掩膜组件及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:14001786 阅读:84 留言:0更新日期:2016-11-15 19:39
本发明专利技术公开一种掩膜组件及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。掩膜组件包括:框架、第一掩膜板和第二掩膜板,第一掩膜板和第二掩膜板层叠设置在框架上;其中,第一掩膜板包括开口区域,第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在蒸镀区域周围的缓冲区域,蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔,缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡,开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内。本发明专利技术解决了掩膜组件的对位精度较低的问题,达到了提高掩膜组件的对位精度的效果。本发明专利技术用于蒸镀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,特别涉及一种掩膜组件及其制造方法、显示装置
技术介绍
有机发光二极管(英文:Organic Light-Emitting Diode;简称:OLED)显示器具有自主发光、厚度薄、重量轻、响应速度快、视角广、色彩丰富以及高亮度、低功耗、耐高低温等优点,广泛应用于手机、手表、电脑、电视机等产品中。在OLED显示器的制造过程中,可以采用蒸镀机配合掩膜组件形成电极图形、有机发光图形等。相关技术中,掩膜组件包括:金属框架、Open MASK(中文:开放掩膜板)和精细金属掩膜板(英文:Fine Metal Mask;简称:FMM),Open MASK包括开口区域,FMM包括精密排布在整个FMM上的蒸镀孔,Open MASK和FMM的四周分别焊接在金属框架上,且FMM层叠设置在Open MASK上,FMM上的蒸镀孔中,在Open MASK上的正投影位于开口区域内的蒸镀孔所在的区域,为该掩膜组件的蒸镀区域(也即是,掩膜组件的蒸镀区域由Open MASK的开口区域来限定,该蒸镀区域的边界为Open MASK的开口区域的边界)。在基板上形成图形时,将掩膜组件设置在蒸镀机与基板之间,使掩膜组件与基板的位置相对固定,掩膜组件的蒸镀区域与基板上的待形成patten(图形)区域对准,蒸镀机中的蒸镀材料通过蒸镀区域蒸镀到基板上,在待形成图形区域形成相应的图形。但是,由于相关技术中的掩膜组件的蒸镀区域由Open MASK的开口区域来限定,而在Open MASK上焊接FMM的过程中,容易导致Open MASK受力变形,使Open MASK的开口区域与金属框架的相对位置发生改变,进而导致掩膜组件的蒸镀区域发生改变,掩膜组件的蒸镀区域与基板上的待形成图形区域无法有效对准,因此,掩膜组件的对位精度较低。
技术实现思路
为了解决掩膜组件的对位精度较低的问题,本专利技术提供一种掩膜组件及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下:第一方面,提供一种掩膜组件,所述掩膜组件包括:框架、第一掩膜板和第二掩膜板,所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上;其中,所述第一掩膜板包括开口区域,所述第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在所述蒸镀区域周围的缓冲区域,所述蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔,所述缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡,所述开口区域的边界在所述第二掩膜板的正投影位于所述缓冲区域内。可选地,所述缓冲区域内设置有第一凹槽。可选地,所述第一凹槽的开口面位于所述第二掩膜板远离所述第一掩膜板的一面上。可选地,所述缓冲区域的形状为环形。可选地,所述第一掩膜板还包括:围绕在所述开口区域周围的第一外围区域,所述第一外围区域用于对蒸镀材料进行阻挡;所述第二掩膜板还包括:围绕在所述缓冲区域周围的第二外围区域,所述第二外围区域在所述第一掩膜板上的正投影位于所述第一外围区域内。可选地,所述第二外围区域内设置有所述蒸镀孔;或者,所述第二外围区域内设置有第二凹槽。可选地,所述缓冲区域内设置有第一凹槽,所有所述蒸镀孔的开口面的面积相等,所有凹槽的开口面的面积相等,任一所述蒸镀孔的开口面的面积等于任一所述凹槽的开口面的面积,任一所述凹槽的深度大于或者等于所述第二掩膜板的厚度的一半且小于所述第二掩膜板的厚度。可选地,所述开口区域和所述蒸镀区域的形状都为圆形,所述缓冲区域的形状为圆环形,所述缓冲区域的内环的半径与所述蒸镀区域的半径相等,所述开口区域的半径大于所述缓冲区域的内环的半径,且小于所述缓冲区域的外环的半径。可选地,所述框架为金属框架,所述第二掩膜板为精细金属掩膜板,所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分别焊接在所述框架上。第二方面,提供一种掩膜组件的制造方法,所述方法包括:提供框架;形成第一掩膜板,所述第一掩膜板包括开口区域;形成第二掩膜板,所述第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在所述蒸镀区域周围的缓冲区域,所述蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔,所述缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡;将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上,使所述开口区域的边界在所述第二掩膜板的正投影位于所述缓冲区域内。可选地,所述缓冲区域内设置有第一凹槽。可选地,所述第一凹槽的开口面位于所述第二掩膜板远离所述第一掩膜板的一面上。可选地,所述缓冲区域的形状为环形。可选地,所述第一掩膜板还包括:围绕在所述开口区域周围的第一外围区域,所述第一外围区域用于对蒸镀材料进行阻挡;所述第二掩膜板还包括:围绕在所述缓冲区域周围的第二外围区域,所述将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上,还包括:将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上,使所述第二外围区域在所述第一掩膜板上的正投影位于所述第一外围区域内。可选地,所述第二外围区域内设置有所述蒸镀孔;或者,所述第二外围区域内设置有第二凹槽。可选地,所述缓冲区域内设置有第一凹槽,所有所述蒸镀孔的开口面的面积相等,所有凹槽的开口面的面积相等,任一所述蒸镀孔的开口面的面积等于任一所述凹槽的开口面的面积,任一所述凹槽的深度大于或者等于所述第二掩膜板的厚度的一半且小于所述第二掩膜板的厚度。可选地,所述开口区域和所述蒸镀区域的形状都为圆形,所述缓冲区域的形状为圆环形,所述缓冲区域的内环的半径与所述蒸镀区域的半径相等,所述开口区域的半径大于所述缓冲区域的内环的半径,且小于所述缓冲区域的外环的半径。可选地,所述框架为金属框架,所述第二掩膜板为精细金属掩膜板,所述将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上,包括:将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分别焊接在所述框架上,使所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠。第三方面,提供一种显示装置,所述显示装置包括:采用第一方面所述的掩膜组件形成的图形。本专利技术提供的技术方案带来的有益效果是:本专利技术提供一种掩膜组件及其制造方法、显示装置,掩膜组件包括:框架、第一掩膜板和第二掩膜板,第一掩膜板和第二掩膜板层叠设置在框架上,第一掩膜板包括开口区域,第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在蒸镀区域周围的缓冲区域,蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔,缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡,开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内。由于掩膜组件的蒸镀区域由第二掩膜板限定,第一掩膜板的开口区域的边界在第二掩膜板的正投影位于缓冲区域内,而缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡,这样,由于缓冲区域的存在,在固定第二掩膜板时,开口区域位置的改变不会对蒸镀区域产生影响,因此,掩膜组件的对位精度较高,解决了掩膜组件的对位精度较低的问题,达到了提高掩膜组件的对位精度的效果。应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的,并不能限制本专利技术。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1-1是相关技术提供的一种掩膜组件的结构示意图;图1-2是相关技术提供的另一种掩膜组件的结构示意图;图2-1是本专利技术实施例提供的一种掩膜组件的结构示意图;图2-2是本专利技术实施例提供的一种第一掩膜板的结构示意图;图2-3是本专利技术实施例提供的一本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种掩膜组件,其特征在于,所述掩膜组件包括:框架、第一掩膜板和第二掩膜板,所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上;其中,所述第一掩膜板包括开口区域,所述第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在所述蒸镀区域周围的缓冲区域,所述蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔,所述缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡,所述开口区域的边界在所述第二掩膜板的正投影位于所述缓冲区域内。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜组件,其特征在于,所述掩膜组件包括:框架、第一掩膜板和第二掩膜板,所述第一掩膜板和所述第二掩膜板层叠设置在所述框架上;其中,所述第一掩膜板包括开口区域,所述第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在所述蒸镀区域周围的缓冲区域,所述蒸镀区域内设置有供蒸镀材料通过的蒸镀孔,所述缓冲区域用于对蒸镀材料进行阻挡,所述开口区域的边界在所述第二掩膜板的正投影位于所述缓冲区域内。2.根据权利要求1所述的掩膜组件,其特征在于,所述缓冲区域内设置有第一凹槽。3.根据权利要求2所述的掩膜组件,其特征在于,所述第一凹槽的开口面位于所述第二掩膜板远离所述第一掩膜板的一面上。4.根据权利要求1所述的掩膜组件,其特征在于,所述缓冲区域的形状为环形。5.根据权利要求1所述的掩膜组件,其特征在于,所述第一掩膜板还包括:围绕在所述开口区域周围的第一外围区域,所述第一外围区域用于对蒸镀材料进行阻挡;所述第二掩膜板还包括:围绕在所述缓冲区域周围的第二外围区域,所述第二外围区域在所述第一掩膜板上的正投影位于所述第一外围区域内。6.根据权利要求5所述的掩膜组件,其特征在于,所述第二外围区域内设置有所述蒸镀孔;或者,所述第二外围区域内设置有第二凹槽。7.根据权利要求6所述的掩膜组件,其特征在于,所述缓冲区域内设置有第一凹槽,所有所述蒸镀孔的开口面的面积相等,所有凹槽的开口面的面积相等,任一所述蒸镀孔的开口面的面积等于任一所述凹槽的开口面的面积,任一所述凹槽的深度大于或者等于所述第二掩膜板的厚度的一半且小于所述第二掩膜板的厚度。8.根据权利要求1至7任一所述的掩膜组件,其特征在于,所述开口区域和所述蒸镀区域的形状都为圆形,所述缓冲区域的形状为圆环形,所述缓冲区域的内环的半径与所述蒸镀区域的半径相等,所述开口区域的半径大于所述缓冲区域的内环的半径,且小于所述缓冲区域的外环的半径。9.根据权利要求1至7任一所述的掩膜组件,其特征在于,所述框架为金属框架,所述第二掩膜板为精细金属掩膜板,所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分别焊接在所述框架上。10.一种掩膜组件的制造方法,其特征在于,所述方法包括:提供框架;形成第一掩膜板,所述第一掩膜板包括开口区域;形成第二掩膜板,所述第二掩膜板包括蒸镀区域和围绕在所述蒸镀区域...

【专利技术属性】
技术研发人员:李冬伟李宝军黄俊杰
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
类型:发明
国别省市:北京;11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1