用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构制造技术

本发明专利技术涉及一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，包括：一接触金属层、至少一应力平衡层以及一晶粒粘着层。其中接触金属层形成于一化合物半导体晶圆的一下表面；至少一应力平衡层形成于接触金属层的一下表面，其中至少一应力平衡层为至少一导电材料；晶粒粘着层形成于至少一应力平衡层的一下表面，其中晶粒粘着层为一导电材料。本发明专利技术通过在接触金属层以及晶粒粘着层之间插入至少一应力平衡层，借此平衡化合物半导体晶圆所受的应力，以减少化合物半导体晶圆的变形。

【技术实现步骤摘要】
用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构
本专利技术涉及一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，尤其涉及一种用以平衡化合物半导体晶圆应力的改良结构。
技术介绍
在一化合物半导体晶圆上形成集成电路的制程中，或多或少都会在累积应力，使得化合物半导体晶圆承受一应力。在一些状况下，会使得化合物半导体晶圆承受较大的应力，例如，于化合物半导体晶圆之上形成一应力薄膜，或是于化合物半导体晶圆上成长具应力的磊晶结构。而这应力若无法妥善平衡，则会造成化合物半导体晶圆的弓翘(Bowing)变形，甚至在化合物半导体晶圆的边缘处造成破碎。此外，在化合物半导体晶圆的薄化制程后，由于化合物半导体晶圆的厚度变薄，因而使得化合物半导体晶圆更无法平衡原先所承受的应力，进而造成化合物半导体晶圆的弓翘变形更为严重，或甚至在化合物半导体晶圆的边缘处造成破碎。以化合物半导体晶圆的尺寸来说，当化合物半导体晶圆的直径小于3英寸时，应力造成化合物半导体晶圆的弓翘变形较不明显。而当化合物半导体晶圆的直径大于3英寸时，例如4英寸、5英寸、6英寸或更大的，应力造成化合物半导体晶圆的弓翘变形就非常显著。一般而言，由于在化合物半导体晶圆上形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，包括：一接触金属层，形成于一化合物半导体晶圆的一下表面；至少一应力平衡层，形成于所述接触金属层的一下表面，其中所述至少一应力平衡层为至少一导电材料；以及一晶粒粘着层，形成于所述至少一应力平衡层的一下表面，其中所述晶粒粘着层为一导电材料；通过在所述接触金属层以及所述晶粒黏着层之间插入所述至少一应力平衡层，借此平衡所述化合物半导体晶圆所受的应力，以减少所述化合物半导体晶圆的变形。

【技术特征摘要】
1.一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，包括：一接触金属层，形成于一化合物半导体晶圆的一下表面；至少一应力平衡层，形成于所述接触金属层的一下表面，其中所述至少一应力平衡层为至少一导电材料；以及一晶粒粘着层，形成于所述至少一应力平衡层的一下表面，其中所述晶粒粘着层为一导电材料；通过在所述接触金属层以及所述晶粒黏着层之间插入所述至少一应力平衡层，借此平衡所述化合物半导体晶圆所受的应力，以减少所述化合物半导体晶圆的变形。2.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述接触金属层与所述化合物半导体晶圆的所述下表面形成一欧姆接触，使得所述接触金属层形成一欧姆电极。3.根据权利要求2所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述欧姆电极用于至少一二极管，其中所述至少一二极管包括选自以下群组的至少一个：一PN二极管、一萧基二极管、一发光二极管、一激光二极管、一垂直共振腔发射型激光二极管、一光电二极管、一变容二极管、一变阻二极管、一恒流二极管以及一稳压二极管。4.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述化合物半导体晶圆的一厚度大于或等于25μm且小于或等于350μm。5.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述化合物半导体晶圆的一直径大于或等于3英寸。6.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：花长煌，朱文慧，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71