一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法技术

一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法是一种发光波长在1.3微米波段的InGaAs量子点结构及其材料制备方法，属于半导体材料制造技术领域。采用外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、InxGa1‑xAs过渡层、InAs量子点层、InxGa1‑xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470~490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0~3.0ML，第二步与第一步在时间上相隔20~60s，在这一时间间隔内将生长温度提升到490~510℃，然后在这一温度范围内的一个温度下继续生长，生长厚度为0.5~1.5ML。该方法制备出1.3微米波段InGaAs量子点材料，具有良好的量子点尺寸均匀性，易于控制，工艺稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法
本专利技术涉及一种发光波长在1.3微米波段的InGaAs量子点结构及其制备方法，属于半导体材料制造

技术介绍
以量子点结构为有源区的量子点材料从理论上讲具有更低的阈值电流密度、更高的光增益、更高的特征温度和更宽的调制带宽等优点，具有包括制造半导体激光器在内的广泛应用领域，因此，有关量子点材料的领域是一个活跃的专利
GaAs基InGaAs量子点体系因其独特、优良的光电性质，已经成为替代InP基材料，可以用来制备光通讯用1.3微米波段长波长激光器的材料。由于GaAs衬底比InP衬底更便宜，还可以使用AlGaAs作为限制层和波导层，对有源区载流子的限制更强，同时可以很方便地与现有的GaAs微电子工艺技术融合在一起，因此GaAs基材料正在逐步取代InP基材料。采用量子点材料制作的器件，实现其室温连续工作模式是一个主要的技术问题。提高量子点材料的光学增益是解决这一技术问题的重要技术途径，这一参数决定于材料中量子点的尺寸均匀性和面密度。而在获得1.3微米波段长波长发光的前提下，提高尺寸均匀性和面密度，从制备方法角度讲存在技术难度。也本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法，其特征在于，采用外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、InxGa1‑xAs过渡层、InAs量子点层、InxGa1‑xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470~490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0~3.0ML，第二步与第一步在时间上相隔30~60s，在这一时间间隔内将生长温度提升到490~510℃，然后在这一温度范围内的一个温度下继续生长，生长厚度为0.5~1.5ML；在GaAs覆盖层上重复InAs量子点层、InxGa1‑xAs应变层、GaAs势垒...

【技术特征摘要】
1.一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法，其特征在于，采用外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、InxGa1-xAs过渡层、InAs量子点层、InxGa1-xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470~490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0~3.0ML，第二步与第一步...

【专利技术属性】
技术研发人员：李林，曾丽娜，李再金，赵志斌，曲轶，彭鸿雁，
申请(专利权)人：海南师范大学，
类型：发明
国别省市：海南,46