制备低密度、长波长InAs/GaAs 量子点的方法技术

一种制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上淀积生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上淀积生长InAs层，未到临界厚度时暂停淀积生长；步骤4：将生长有InAs层的衬底退火；步骤5：将退火后的衬底升温；步骤6：二次淀积生长InAs层；步骤7：在二次淀积生长的InAs层上淀积生长GaAs盖层，得到低密度、长波长InAs/GaAs量子点结构。本发明专利技术具有密度低、室温发光波长超过1.3μm的InAs/GaAs量子点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料和光电子
，尤其涉及低密度、大尺寸、长波长量子点的生长方法，特别是关于在GaAs衬底上生长低密度、长波长InAs量子点的分子束外延方法。
技术介绍
近年来，随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学、量子通信等方面的研究越来越引起人们的兴趣。这些量子点不仅最终实现了对载流子的三维限制，导致载流子因能量在三个维度上量子化而具有分立的能级，呈现出某些类似原子的壳层结构能级特性，而且还天然地处于固体系统中，可通过调节产生非经典统计分布的光子。实验观察到光致或电致光子的反聚束效应，并成功制备出光致和电致发光的单光子源。自组织单量子点与高质量微腔的耦合，还可以用来研究腔量子电动力学。另外，自组织单量子点还有可能产生纠缠光子对。由于对单个量子点的研究，尤其是对量子点单光子源的研究首先需要将量子点相互隔离，以便对单个量子点激发，所以需要制备出低密度、适当波长的量子点材料。但是，一般自组织方法生长的InAs量子点密度在-1OicicnT2左右。因此，为了克服SK生长模式生长InAs量子点的高密度特性，人们往往在淀积InAs刚刚达到或者尚未达到临界厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上淀积生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上淀积生长InAs层，未到临界厚度时暂停淀积生长；步骤4：将生长有InAs层的衬底退火；步骤5：将退火后的衬底升温；步骤6：二次淀积生长InAs层；步骤7：在二次淀积生长的InAs层上淀积生长GaAs盖层，得到低密度、长波长InAs/GaAs量子点结构。

【技术特征摘要】
1.一种制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，包括如下步骤: 步骤1:取一衬底； 步骤2:在衬底上淀积生长缓冲层； 步骤3:在缓冲层上淀积生长InAs层，未到临界厚度时暂停淀积生长； 步骤4:将生长有InAs层的衬底退火； 步骤5:将退火后的衬底升温； 步骤6:二次淀积生长InAs层； 步骤7:在二次淀积生长的InAs层上淀积生长GaAs盖层，得到低密度、长波长InAs/GaAs量子点结构。2.根据权利要求1所述的制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，其中衬底和缓冲层的材料为GaAs。3.根据权利要求1所述的制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法，其中淀积生长InAs层的温度为470°C...

【专利技术属性】
技术研发人员：张世著，叶小玲，徐波，王占国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：