光伏装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了制造光伏装置的方法以及使用该方法制造的光伏装置。该方法包括：使用第一杂质在半导体基底上形成第一导电类型半导体层；使用激光对第一导电类型半导体层的区域执行掺杂，使得第一导电类型半导体层的所述区域与第一导电类型半导体层的剩余区域相比具有更高浓度的第一杂质；执行边缘隔离，以在半导体基底的后表面的边缘部分形成凹槽部分；在半导体基底的前表面上形成抗反射层；在半导体基底的前表面上形成第一金属电极；以及在半导体基底的后表面上形成第二金属电极和第二导电类型半导体层，第二导电类型半导体层包含与第一杂质不同的第二杂质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个或多个实施例涉及一种光伏装置以及一种制造该光伏装置的方法。
技术介绍
为了制造太阳能电池，通过将η型(或P型)掺杂剂掺杂到P型(或η型)基底中形成ρ-η结，因此形成发射极。使通过接收光形成的电子-空穴对分开，然后通过η型区域的电极收集电子并通过P型区域的电极收集空穴，从而产生电能。由于在形成ρ-η结的工艺过程中也用杂质掺杂基底的边缘部分，所以太阳能电池的前表面电极和后表面电极电连接，从而降低了太阳能电池的效率。因此，需要执行用于使前表面和后表面电断开的边缘隔离。
技术实现思路
本专利技术的一个或多个实施例包括一种光伏装置以及一种制造该光伏装置的方法，在制造该光伏装置的方法中，可以使用激光同步(例如，同时)执行高浓度掺杂工艺和边缘隔离工艺。附加方面在下面的描述中被部分地阐述，部分地通过描述将是明显的，或者可以通过本实施例的实践获得。根据本专利技术的一个或多个实施例，一种制造光伏装置的方法包括:使用第一杂质在半导体基底上形成第一导电类型半导体层；使用激光对第一导电类型半导体层的区域执行掺杂，使得第一导电类型半导体层的所述区域与第一导电类型半导体层的剩余区域相比具有更高浓度的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造光伏装置的方法，所述方法包括：使用第一杂质在半导体基底上形成第一导电类型半导体层；使用激光对第一导电类型半导体层的区域执行掺杂，使得第一导电类型半导体层的所述区域与第一导电类型半导体层的剩余区域相比具有更高浓度的第一杂质；执行边缘隔离，以在半导体基底的后表面的边缘部分形成凹槽部分；在半导体基底的前表面上形成抗反射层；在半导体基底的前表面上形成第一金属电极；以及在半导体基底的后表面上形成第二金属电极和第二导电类型半导体层，第二导电类型半导体层包含与第一杂质不同的第二杂质。

【技术特征摘要】
2011.11.23 KR 10-2011-01231191.一种制造光伏装置的方法，所述方法包括: 使用第一杂质在半导体基底上形成第一导电类型半导体层； 使用激光对第一导电类型半导体层的区域执行掺杂，使得第一导电类型半导体层的所述区域与第一导电类型半导体层的剩余区域相比具有更高浓度的第一杂质； 执行边缘隔离，以在半导体基底的后表面的边缘部分形成凹槽部分； 在半导体基底的前表面上形成抗反射层； 在半导体基底的前表面上形成第一金属电极；以及 在半导体基底的后表面上形成第二金属电极和第二导电类型半导体层，第二导电类型半导体层包含与第一杂质不 同的第二杂质。2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括通过使用副产物层作为掩模来蚀刻在凹槽部分上的损坏层，副产物层在第一导电类型半导体层的形成过程中形成。3.根据权利要求2所述的方法，其中，蚀刻包括使用碱溶液湿蚀刻损坏层。4.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括在蚀刻之后除去副产物层。5.根据权利要求1所述的方法，其中，第一导电类型半导体层的所述区域对应于第一金属电极。6.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在形成抗反射层之前清洗半导体基底的前表面。7.根据权利要求6所述的方法，其中，清洗包括: 第一操作，使用包含硝酸和氢氟酸的混合溶液除去杂质；以及 第二操作，在第一操作之后使用稀释的氢氟酸除去剩余的氧化物层。8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第二金属电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：金太俊，宋珉澈，姜允默，任兴均，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：