化合物薄膜太阳能电池的制作方法及制作的太阳能电池技术

一种化合物薄膜太阳能电池的制作方法及制作的太阳能电池，是于真空腔体内在高温下以溅镀方式配合持续通入的硒蒸气进行吸收材料层制作，而其双渐层制作过程的控制条件包括有三阶段，第一阶段是于正规化功率0.35W±10%与0.5W±10%时分别导入铟及铜镓，而铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5：5；第二阶段是于正规化功率0.1W±10%、0.2W±10%与0.75W±10%时分别导入铜镓、铜及铟，而该铜镓、铜与铟的掺杂浓度比例为1：2：7.5；第三阶段是于正规化功率0.35W±10%与0.5W±10%时分别导入铟及铜镓，而该铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5：5；另于单层制程中省略该第二阶段。藉此，可使本发明专利技术达到制作过程快速、无毒、良率佳以及可制成较大面积的功效。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化合物薄膜太阳能电池的制作方法及由此方法制得的太阳能电池，尤指一种可达到制程快速、无毒、良率佳以及可制成较大面积功效的太阳能电池。
技术介绍
一般已用化合物薄膜太阳能的吸收材料层，其制作时具有三阶段，第一阶段是加入铟、镓及硒，之后于进入第二阶段时加入铜及硒，当进入第三阶段时加入铟、镓及硒，藉以利用该三阶段制成化合物薄膜太阳能的吸收材料层(如:美国专利US 5，436，204所示)。然，以上述已知的三阶段而言，其各阶段的步骤中是以非固定温度的方式进行，由于各阶段的温度不是固定的，因此，于进行控制时，温度是具有变化性的，如此，当温度固定以后若要再加以升温时，便会有温度难以控制的状态发生，导致工作温度不易受到控制，而造成诸多状况，严重影响其制作过程的良率，再者更会因如此复杂不易控制的操作温度，而有不易作成大面积的情形，使得化合物薄膜太阳能的吸收材料层无法量产。另一已知的方式是于进行溅镀后，再进行硒化与硫化(如:美国专利US5，981，868所示，其硒化的过程是在做事后的热扩散时才进行)，但此方式会有毒物产生，较不环保且安全性亦相对较差，而且其制作过程的时间约8小时 12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物薄膜太阳能电池的制作方法，该太阳能电池的制作包括双渐层结构的吸收材料层的制作，其特征在于：所述吸收材料层是在真空腔体内于500?600℃以溅镀方式配合持续通入的硒蒸气进行制作，该吸收材料层的双渐层的制作过程包括如下三阶段：第一阶段是于正规化功率0.35W±10%时导入铟，而于正规化功率0.5W±10%导入铜镓，且该铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5：5；第二阶段是于正规化功率0.1W±10%时导入铜镓，而于正规化功率0.2W±10%时导入铜，并于正规化功率0.75W±10%时导入铟，且该铜镓、铜与铟的掺杂浓度比例为1：2：7.5；以及第三阶段是于正规化功率0.35W±10%时导入铟，而于...

【技术特征摘要】
2011.12.01 TW 1001442541.一种化合物薄膜太阳能电池的制作方法，该太阳能电池的制作包括双渐层结构的吸收材料层的制作，其特征在于:所述吸收材料层是在真空腔体内于500-600°C以溅镀方式配合持续通入的硒蒸气进行制作，该吸收材料层的双渐层的制作过程包括如下三阶段: 第一阶段是于正规化功率0.35W±10%时导入铟，而于正规化功率0.5W±10%导入铜镓，且该铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5:5 ; 第二阶段是于正规化功率0.1W土 10%时导入铜镓，而于正规化功率0.2W土 10%时导入铜，并于正规化功率0.75W±10%时导入铟，且该铜镓、铜与铟的掺杂浓度比例为1:2:7.5 ；以及 第三阶段是于正规化功率0.35W土 10%时导入铟，而于正规化功率0.5W土 10%时导入铜镓，且该铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5:5。2.如权利要求1所述的化合物薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于:所述第一阶段占总制作过程时间的45% 土 20%。3.如权利要求1所述的化合物薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于:所述第二阶段占总制作过程时间的50% 土 20%。4.如权利要求1所述的化合物薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于:所述第三阶段...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱容贤，赖明旺，洪东亿，
申请(专利权)人：硕禾电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：