辐射检测器和制造辐射检测器的方法技术

本发明专利技术提供辐射检测器和制造辐射检测器的方法。该方法（150）包含使用包含多个抛光步骤的抛光序列机械抛光（152）半导体晶圆的至少第一表面，其中抛光序列的最后抛光步骤包含用具有小于大约0.1μm的晶粒尺寸的浆来抛光以形成抛光的第一表面。该方法还包含（i）在抛光的第一表面的顶部上应用（154、156）封装层来密封抛光的第一表面以及（ii）在抛光的第一表面上的封装层的顶部上应用（154、156）光致抗蚀剂层。该方法还包含形成（158）在光致抗蚀剂层之下的封装层的底切。该方法此外包含经由光致抗蚀剂层和封装层中的开口部分蚀刻（162）半导体的抛光的第一表面来部分蚀刻半导体，形成了蚀刻区域。

【技术实现步骤摘要】

本文所公开的主题通常涉及辐射检测器并且更具体地涉及用于例如核成像(NI)、单光子发射计算机断层照相(SPECT)、正电子发射断层照相(PET)以及计算机断层照相(CT)等医学成像的辐射检测器。
技术介绍
由例如碲化锌镉(CdZnTe或CZT)半导体等半导体制成的室温像素化辐射检测器已经进入医学成像的商业阶段。在此商业阶段中，期望这些检测器展现高的性能，特别是在能量分辨率和灵敏度方面。 此外，这些检测器，其通常是集成到系统(例如，SPECT、PET以及CT)的照相机头的核心技术，应该是稳定的、可靠的并且以高产量产生来降低成本。辐射半导体检测器通常包含两个表面，具有其上应用的阴极单片电接触件的一个表面以及具有其上应用的表面像素化阳极电接触件的另一表面。在电接触件的应用之前，通过化学湿蚀刻来蚀刻第一和第二表面。在CZT辐射检测器中，由于至少两个原因来完成湿蚀刻:1)从表面移除在将检测器的半导体晶圆切片并抛光的以前的制造步骤中引入的机械损伤，以及2)形成富碲表面，该表面用来产生欧姆接触(例如，应用到CZT晶圆的铟接触)。在其上应用阳极接触件的富碲第一表面具有阳极接触件之间的间隙区域。阳极之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造辐射检测器的方法（150），所述方法包括：使用包含多个抛光步骤的抛光序列来机械抛光（152）半导体晶圆的至少第一表面，其中所述抛光序列的最后的抛光步骤包含用具有小于大约0.1μm的晶粒尺寸的浆的抛光以形成抛光的第一表面；（i）在所述抛光的第一表面的顶部上应用（154、156）封装层来密封所述抛光的第一表面以及（ii）在所述抛光的第一表面上的所述封装层的顶部上应用（154、156）光致抗蚀剂层；在所述光致抗蚀剂层中形成（158）开口；经由所述光致抗蚀剂层中的开口部分蚀刻（160）所述封装层来部分移除所述封装层并且形成所述光致抗蚀剂层之下的所述封装层的底切；经由所述光致抗蚀剂层和所述封...

【技术特征摘要】
2011.11.22 US 13/3028351.一种用于制造辐射检测器的方法(150)，所述方法包括: 使用包含多个抛光步骤的抛光序列来机械抛光(152)半导体晶圆的至少第一表面，其中所述抛光序列的最后的抛光步骤包含用具有小于大约0.1 μ m的晶粒尺寸的浆的抛光以形成抛光的第一表面； (i )在所述抛光的第一表面的顶部上应用(154、156)封装层来密封所述抛光的第一表面以及(ii)在所述抛光的第一表面上的所述封装层的顶部上应用(154、156)光致抗蚀剂层； 在所述光致抗蚀剂层中形成(158)开口 ； 经由所述光致抗蚀剂层中的开口部分蚀刻(160)所述封装层来部分移除所述封装层并且形成所述光致抗蚀剂层之下的所述封装层的底切； 经由所述光致抗蚀剂层和所述封装层中的开口部分蚀刻(162 )所述半导体的所述抛光的第一表面来部分蚀刻所述半导体，在所述第一表面中形成具有所述封装层之下的所述半导体的所述底切的蚀刻区域来产生所述抛光的第一表面的所述蚀刻区域之间的非蚀刻的间隙区域； 蚀刻(162)所述半导体的第二表面； 在所述抛光的第一表面的所述蚀刻区域中应用(164)像素化阳极电极并且在所述半导体的所述第二表面上应用(164)单片阴极电极；以及通过剥离过程移除(168)所述光致抗蚀剂层。2.如权利要求1所述的方法(150)，其中所述抛光(152)形成具有大体上与所述半导体的体电阻率相同的电阻率的所述抛...

【专利技术属性】
技术研发人员：A沙哈，E特劳布，D斯拉，P鲁西安，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：