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本发明提供辐射检测器和制造辐射检测器的方法。该方法（150）包含使用包含多个抛光步骤的抛光序列机械抛光（152）半导体晶圆的至少第一表面，其中抛光序列的最后抛光步骤包含用具有小于大约0.1μm的晶粒尺寸的浆来抛光以形成抛光的第一表面。该方法...
该专利属于通用电气公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用电气公司授权不得商用。

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