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公开了制造光伏装置的方法以及使用该方法制造的光伏装置。该方法包括：使用第一杂质在半导体基底上形成第一导电类型半导体层；使用激光对第一导电类型半导体层的区域执行掺杂，使得第一导电类型半导体层的所述区域与第一导电类型半导体层的剩余区域相比具有更...
该专利属于三星SDI株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星SDI株式会社授权不得商用。

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