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本发明涉及一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，包括：一接触金属层、至少一应力平衡层以及一晶粒粘着层。其中接触金属层形成于一化合物半导体晶圆的一下表面；至少一应力平衡层形成于接触金属层的一下表面，其中至少一应力平衡层为至少一导电材料；...
该专利属于稳懋半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过稳懋半导体股份有限公司授权不得商用。

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