本发明专利技术具体涉及一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构。本发明专利技术是一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构，所述的二维电子气结构是CdTe沿其晶体的极性面（111），（100）和（211）生长在PbTe表面上或PbTe生长在CdTe晶体的极性面（111），（100）和（211）上，其界面由于电荷转移形成高浓度二维电子气。本发明专利技术的CdTe/PbTe界面二维电子气是由异质结极性界面特性产生的，它不需要人为掺杂，它不仅具有高的电子密度，而且还具有高的电子迁移率，例如77K温度下的电子迁移率是块体CdTe材料三倍多。利用高的电子密度和高迁移率特性，可以提高晶体管的功率和速度；可以降低CdTe太阳电池中CdTe与金属的接触电阻；可以增强窄带隙半导体红外发光的强度，效果十分明显。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构，其特征在于，所述的二维电子气结构是CdTe沿其晶体的极性面（111），（100）和（211）生长在PbTe表面上或PbTe生长在CdTe晶体的极性面（111），（100）和（211）上，其界面由于电荷转移形成高浓度二维电子气。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴惠桢，蔡春锋，金树强，张兵坡，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：
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