N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件制造技术

技术编号:9479250 阅读:123 留言:0更新日期:2013-12-19 06:56
本实用新型专利技术公开了一种N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件,其中,本征非晶硅钝化层沉积在N型晶体硅衬底的正面上;重掺杂P型非晶硅层沉积在本征非晶硅钝化层的上表面上;正面透明导电膜层沉积在重掺杂P型非晶硅层的上表面上;正面电极层位于正面透明导电膜层的上表面上,并且通过该正面透明导电膜层与重掺杂P型非晶硅层电性连接;N型掺氢晶化硅层沉积在N型晶体硅衬底的背面上;重掺杂N型非晶硅层沉积在N型掺氢晶化硅层的下表面上;背面透明导电膜层沉积在重掺杂N型非晶硅层的下表面上;背面电极层位于背面透明导电膜层的下表面上,并且通过该背面透明导电膜层与重掺杂N型非晶硅层电性连接。本实用新型专利技术可以降低太阳能电池的整体串联电阻,进而可以提高填充因子,从而提高太阳能电池的转换效率。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种N型掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池器件,其特征在于,它包括:一N型晶体硅衬底(1),其具有一正面和一背面;一本征非晶硅钝化层(2),沉积在N型晶体硅衬底(1)的正面上;一重掺杂P型非晶硅层(3),沉积在本征非晶硅钝化层(2)的上表面上;一正面透明导电膜层(4),沉积在重掺杂P型非晶硅层(3)的上表面上;一正面电极层(5),位于正面透明导电膜层(4)的上表面上,并且通过该正面透明导电膜层(4)与重掺杂P型非晶硅层(3)电性连接;一N型掺氢晶化硅层(6),沉积在N型晶体硅衬底(1)的背面上;一重掺杂N型非晶硅层(7),沉积在N型掺氢晶化硅层(6)的下表面上;一背面透明导电膜层(8),沉积在重掺杂N型非晶硅层(7)的下表面上;一背面电极层(9),位于背面透明导电膜层(8)的下表面上,并且通过该背面透明导电膜层(8)与重掺杂N型非晶硅层(7)电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:包健杨同春
申请(专利权)人:常州天合光能有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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