微晶PIN结的SiOxN型层制造技术

本发明专利技术涉及一种光转换装置，该光转换装置包括至少一个光伏光转换层堆叠体(43、51)，该光伏光转换层堆叠体(43、51)包括p-i-n结并且被夹在前电极(42)和后电极(47)之间，其中定位成最接近后电极(47)的n型层(49)的堆叠(43)包括n型掺杂硅微晶层和含氧(SiOx)微晶层，并且与后电极(47)直接接触。本发明专利技术同样涉及用于制造这样的光转换装置的相应的方法。从而可以消除对于在SiOx层与后电极之间的中间粘附/界面层的需求，从而简化制造。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯·库皮希，丹尼尔·莱波里，
申请(专利权)人：TEL太阳能公司，
类型：
国别省市：