全背电极异质结太阳能电池制造技术

一种全背电极异质结太阳能电池，包括一第一导电型硅基板、一第一非晶半导体层、一第二非晶半导体层、一第一导电型半导体层、一第二导电型半导体层以及一第二导电型掺杂区。第一非晶半导体层位在硅基板的受光面上，其为本质半导体层或第一导电型层。第二非晶半导体层位在硅基板的非受光面上，其中第二非晶半导体层为本质半导体层。第一与第二导电型半导体层分别位在第二非晶半导体层上。至于第二导电型掺杂区则位在第二导电型半导体层下方的硅基板内并与第二非晶半导体层接触。

【技术实现步骤摘要】
全背电极异质结太阳能电池
本专利技术是关于一种异质结太阳能电池，且特别是关于一种全背电极异质结太阳能电池(back-contact hetero junction solar cell)。
技术介绍
目前高效率太阳能电池是未来产业的趋势，因为高效率太阳能电池不仅仅是提升单位面积的发电瓦数，还可降低成本，更深一层的含意是可以提升模块发电的附加价值。目前世界上效率最高的太阳能电池模块是SunPower的内交指背接触式(Interdigitated Back-Contact, IBC)的全背结模块,其电池效率可以超过24%以上,就市场上而言，因为上述高效率太阳能电池制造流程太繁琐，制程所花的成本很高，所以模块的制造成本高出传统硅晶模块5成以上。另一种高效率太阳能电池是使用异质结的太阳能电池。异质结太阳能电池一般是在硅晶片上成长非晶硅(a-Si)的钝化层与非晶硅电极，其具有极低的表面复合速率，因此拥有很高的开路电压。结合上述两项电池的优点，把电池电极制作到背面，并使用钝化能力很好的非晶硅层，将可以使电池转换效率更往上提升，例如美国专利US 7，199，395所提出的全背电极异质结太阳能电池。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，包括：一第一导电型硅基板，具有一受光面与一非受光面；一第一非晶半导体层，位在该第一导电型硅基板的该受光面上，其中该第一非晶半导体层为本质半导体层或第一导电型层；一第二非晶半导体层，位在该第一导电型硅基板的该非受光面上，其中该第二非晶半导体层为本质半导体层；一第一导电型半导体层，位在该第二非晶半导体层上；一第二导电型半导体层，位在该第二非晶半导体层上；以及一第二导电型掺杂区，位在该第二导电型半导体层下方的该第一导电型硅基板内并与该第二非晶半导体层接触。

【技术特征摘要】
2011.11.29 TW 1001437391.一种全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，包括: 一第一导电型硅基板，具有一受光面与一非受光面； 一第一非晶半导体层，位在该第一导电型硅基板的该受光面上，其中该第一非晶半导体层为本质半导体层或第一导电型层； 一第二非晶半导体层，位在该第一导电型硅基板的该非受光面上，其中该第二非晶半导体层为本质半导体层； 一第一导电型半导体层，位在该第二非晶半导体层上； 一第二导电型半导体层，位在该第二非晶半导体层上；以及 一第二导电型掺杂区，位在该第二导电型半导体层下方的该第一导电型硅基板内并与该第二非晶半导体层接触。2.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第二导电型掺杂区为P型掺杂区。3.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第二导电型掺杂区的掺杂浓度在lel8cnT3 le21cnT3之间。4.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第二导电型掺杂区的结深度在0.0Olym 10 μ m之间。5.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第一导电型半导体层与该第二导电型半导体层互相隔离。6.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第一导电型半导体层与该第二导电型半导体层部分重叠。7.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第一导电型半导体层的材料包括非晶硅、非晶碳化硅、非晶硅锗、微晶硅、微晶碳化硅或微晶硅锗。8.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴德清，萧睿中，陈建勋，林景熙，丁密特·萨哈雷夫·丁密措夫，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：