非晶硅薄膜太阳能电池制造技术

一种非晶硅薄膜太阳能电池，所述非晶硅薄膜太阳能电池包括：基板；位于所述基板上表面的SiGe虚拟衬底；位于所述SiGe虚拟衬底表面的第一掺杂类型微晶硅层；位于所述第一掺杂类型微晶硅层表面的本征非晶硅层；位于所述本征非晶硅层表面的第二掺杂类型非晶硅层；位于所述本征非晶硅层表面的抗反射层；位于所述抗反射层表面的第一电极；位于所述基板下表面的第二电极。所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法能够提高非晶硅薄膜太阳能电池的效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池领域，特别涉及一种非晶硅薄膜太阳能电池。
技术介绍
薄膜太阳能电池是在玻璃、金属或塑料等基板上沉积很薄(几微米至几十微米)的光电材料而形成的一种太阳能电池。薄膜太阳能电池具备弱光条件下仍可发电、生产过程能耗低及可大幅度降低原料和制造成本等一系列优势，已成为近年来的研究热点，其市场发展潜力巨大。基本的薄膜太阳能电池结构，包括单P-N结、P-1-N/N-1-P以及多结。典型的单结P-N结构包括P型掺杂层和N型掺杂层。单结P-N结太阳能电池有同质结和异质结两种结构。同质结结构的P型掺杂层和N型掺杂层都由相似材料(材料的能带隙相等)构成。异质结结构包括具有不同带隙的材料至少两层。P-1-N/N-1-P结构包括P型掺杂层、N型掺杂层和夹于P层和N层之间的本征半导体层(即未掺杂的I层)。多结结构包括具有不同带隙的多个半导体层，所述多个半导体层互相堆叠。在薄膜太阳能电池中，光在PN结附近被吸收。由此所得的载流子扩散进入所述PN结并被内建电场分开，从而生成穿过所述器件和外部电路系统的电流。非晶硅薄膜太阳能电池是将非晶硅薄膜生长在低成本的衬底材料上，材料和制作成本大幅度下降，易于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上表面的SiGe虚拟衬底；位于所述SiGe虚拟衬底表面的第一掺杂类型微晶硅层；位于所述第一掺杂类型微晶硅层表面的本征非晶硅层；位于所述本征非晶硅层表面的第二掺杂类型非晶硅层；位于所述本征非晶硅层表面的抗反射层；位于所述抗反射层表面的第一电极；位于所述基板下表面的第二电极。

【技术特征摘要】
1.一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，包括: 基板； 位于所述基板上表面的SiGe虚拟衬底； 位于所述SiGe虚拟衬底表面的第一掺杂类型微晶娃层； 位于所述第一掺杂类型微晶娃层表面的本征非晶娃层； 位于所述本征非晶娃层表面的第二掺杂类型非晶娃层； 位于所述本征非晶娃层表面的抗反射层； 位于所述抗反射层表面的第一电极； 位于所述基板下表面的第二电极。2.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述SiGe虚拟衬底包括基板表面的Ge含量随厚度逐渐增加的SihGex缓冲层和位于SihGex缓冲层表面的Ge含星稳定的她了象Si1^Gex层。3.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂类型微晶硅层的厚度范围为20A 500014.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，第二掺杂类型非晶硅层的厚度范围为20A 500015.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，本征非晶硅层的厚度范围为10nm 500nm。6.根据权利要求1所述的非晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨瑞鹏，肖春光，王磊，徐昕，
申请(专利权)人：杭州赛昂电力有限公司，
类型：实用新型
国别省市：