异质结太阳能电池制造技术

一种异质结太阳能电池，所述异质结太阳能电池包括：基片，所述基片为第一掺杂类型单晶硅片；位于所述基片上表面的第二掺杂类型非晶硅层；位于所述第二掺杂类型非晶硅层表面的透明导电层；位于所述透明导电层表面的应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应；位于所述应力层表面的第一电极；位于所述基片下表面的第二电极。所述异质结太阳能电池能够有效提高太阳能电池的载流子迁移率，提高太阳能电池的转换效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

异质结太阳能电池
本技术涉及太阳能电池领域，特别涉及一种异质结太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池利用光电效应将光转换成电能。基本的太阳能电池结构，包括单P-N结、P-1-N/N-1-P结、以及多结结构。典型的单P-N结结构包括:P型掺杂层和N型掺杂层。单P-N结太阳能电池有同质结和异质结两种结构:同质结结构的P型掺杂层和N型掺杂层都由相似材料(材料的能带隙相等)构成，异质结结构包括具有至少两层不同带隙的材料。P-1-N/N-1-P结构包括P型掺杂层、N型掺杂层和夹于P层和N层之间的本征半导体层(未掺杂I层)。多结结构包括具有不同带隙的多个半导体层，所述多个半导体层互相堆叠。在太阳能电池中，光在P-N结附近被吸收，产生光生电子和光生空穴，所述光生电子和光生空穴扩散进入P-N结并被内建电场分开，光生电子被推进N区，空穴被推进P区。在PN结两侧形成正、负电荷积累，产生光生电动势从而生成穿过所述器件和外部电路系统的电流。目前，利用非晶硅薄膜作为窗口层，单晶硅片作为衬底，形成的异质结太阳能电池既利用了低温的薄膜沉积工艺，又发挥了晶体硅高迁移率的优势，同时制备工艺简单，具有实现高效率、低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：基片，所述基片为第一掺杂类型单晶硅片；位于所述基片上表面的第二掺杂类型非晶硅层；位于所述第二掺杂类型非晶硅层表面的透明导电层；位于所述透明导电层表面的应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应；位于所述应力层表面的第一电极；位于所述基片下表面的第二电极。

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括: 基片，所述基片为第一掺杂类型单晶硅片； 位于所述基片上表面的第二掺杂类型非晶硅层； 位于所述第二掺杂类型非晶硅层表面的透明导电层； 位于所述透明导电层表面的应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应； 位于所述应力层表面的第一电极； 位于所述基片下表面的第二电极。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述基片为N型单晶硅片，第二掺杂类型非晶硅层为P型层，所述应力层具有压应力。3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述基片为P型单晶硅片，第二掺杂类型非晶硅层为N型层，所述应力层具有张应力。4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述应力层的厚度为0.5nm 100nmo5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述应力层的应力的数...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨瑞鹏，肖春光，王磊，徐昕，
申请(专利权)人：杭州赛昂电力有限公司，
类型：实用新型
国别省市：