【技术实现步骤摘要】
单晶硅太阳能电池
本技术涉及太阳能电池领域，特别涉及一种单晶硅太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池利用光电效应将光转换成电能。基本的太阳能电池结构，包括单P-N结、P-1-N/N-1-P结、以及多结结构。典型的单P-N结结构包括:P型掺杂层和N型掺杂层。单P-N结太阳能电池有同质结和异质结两种结构:同质结结构的P型掺杂层和N型掺杂层都由相似材料(材料的能带隙相等)构成，异质结结构包括具有至少两层不同带隙的材料。P-1-N/N-1-P结构包括P型掺杂层、N型掺杂层和夹于P层和N层之间的本征半导体层(未掺杂I层)。多结结构包括具有不同带隙的多个半导体层，所述多个半导体层互相堆叠。在太阳能电池中，光在P-N结附近被吸收，产生光生电子和光生空穴，所述光生电子和光生空穴扩散进入P-N结并被内建电场分开，光生电子被推进N区，空穴被推进P区。在PN结两侧形成正、负电荷积累，产生光生电动势从而生成穿过所述器件和外部电路系统的电流。目前，单晶硅太阳能电池由于其较大的光电转换效率得到广泛的生产和应用，单晶硅太阳能电池一般是在P型单晶硅片上掺杂N型离子形成PN结。单晶硅太阳能电池...
【技术保护点】
一种单晶硅太阳能电池，其特征在于，包括：第一掺杂类型单晶硅层和位于所述第一掺杂类型单晶硅层上表面的第二掺杂类型单晶硅层；位于所述第二掺杂类型单晶硅层的表面的第一应力层，所述第一应力层的应力类型与第二掺杂类型单晶硅层的掺杂类型相对应；位于所述第一应力层表面的第一电极；位于第一掺杂类型单晶硅层下表面的第二电极。
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅太阳能电池，其特征在于，包括: 第一掺杂类型单晶硅层和位于所述第一掺杂类型单晶硅层上表面的第二掺杂类型单晶娃层; 位于所述第二掺杂类型单晶硅层的表面的第一应力层，所述第一应力层的应力类型与第二掺杂类型单晶硅层的掺杂类型相对应； 位于所述第一应力层表面的第一电极； 位于第一掺杂类型单晶娃层下表面的第二电极。2.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂类型单晶硅层为P型层，所述第二掺杂类型单晶硅层为N型层，所述第一应力层具有张应力。3.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂类型单晶硅层为N型层，所述第二掺杂类型单晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨瑞鹏，连春元，于奎龙，沈伟妙，丁鹏，赵燕萍，
申请(专利权)人：杭州赛昂电力有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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