非晶硅钝化N型背接触电池及其制备方法技术

技术编号:7899400 阅读:222 留言:0更新日期:2012-10-23 05:14
本发明专利技术涉及一种非晶硅钝化N型背接触电池及其制备方法,该电池包括N型硅片基体,在N型硅片基体的背面具有P型掺杂层和N型非晶硅层,在P型掺杂层和N型非晶硅层上制作电极。该电池的制备方法:通过掩膜的方式在N型硅片基体的背面扩散形成P型掺杂层,在扩散后的硅片背面开槽,通过掩膜的方式在开槽区域内沉积N型非晶硅层,P型掺杂层和N型非晶硅层构成背接触电池背面的P型发射极和N型背场,P型发射极和N型背场上制作电极。通过在硅片形成N型非晶硅层,利用N型非晶硅层较好的氢钝化效果和场钝化效果,作为背结背接触电池中的电场,提高钝化效果,使电池效率上升明显,使工艺变得简单,提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非晶硅钝化N型背接触电池及其制备方法
技术介绍
随着光伏行业的不断发展,降低发电成本是一个不得不面对的问题,而提高电池片效率就是降低成本的关键措施。背结背接触电池(BJBC)的金属电极全部在背面,正面完全没有栅线,短路电流提高明显,电池效率最高达到24. 2%。由于BJBC电池特殊的结构,组件成本也进一步降低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种非晶硅钝化背接触电池及其制备方法,解决背结背电池工艺中成本高、工艺复杂的技术问题。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种非晶硅钝化N型背接触电池,包括N型硅片基体,在所述的N型硅片基体的背面具有形成P型发射极的P型掺杂层和形成N型背场的N型非晶硅层,在P型掺杂层和N型非晶硅层上制作电极。为了有效保护P型掺杂层和N型非晶硅层,防止其受到损伤,在所述的P型掺杂层和N型非晶硅层上均覆盖氧化铝和氮化硅叠层膜。为了减小电池在使用中光的反射率,提高短路电流,增加PN结的面积,最终提高电池的光电转换效率,在所述的N型硅片基体的正面制绒,并覆盖氮化硅膜。进一步的,所述非晶硅钝化N型背接触电池的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶硅钝化N型背接触电池,包括N型硅片基体(1),其特征是:在所述的N型硅片基体(1)的背面具有形成P型发射极的P型掺杂层(5)和形成N型背场的N型非晶硅层(4),在P型掺杂层(5)和N型非晶硅层(4)上制作电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈艳
申请(专利权)人:常州天合光能有限公司
类型:发明
国别省市:

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