一种薄膜太阳能电池模块,该薄膜太阳能电池模块包括:基板;多个第一电池,所述多个第一电池位于中心区域中,其中一个或更多个第一电池包括至少一个光伏单元;以及多个第二电池,所述多个第二电池位于所述基板的边缘区域中,其中一个或更多个第二电池包括至少一个光伏单元。在位于同一层的光伏单元当中,所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元具有比所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元更高的带隙能量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜太阳能电池模块。
技术介绍
正如所预料的那样,诸如石油和煤炭的传统能源资源终将被耗尽,最近,人们对取代传统能源资源的替代能源的兴趣正在逐渐增加。虽然现今在商业上使用单晶体硅,该单晶体硅采用硅晶片,但问题是单晶体硅的制造成本昂贵,因此,这种单晶体硅没有得到广泛应用。为了解决这个问题,正在积极地进行对薄膜太阳能电池的研究。具体地,采用非晶硅(a_S1:H)的薄膜太阳能电池是一种低成本的、用于大面积太阳能电池模块的技术,因此正在受到关注。
技术实现思路
因此,一个目的是为了解决现有技术的上述以及其它的缺陷。另一目的是提供一种太阳能电池模块,该太阳能电池模块包括基板;多个第一电池,所述多个第一电池位于中心区域中,一个或更多个第一电池包括至少一个光伏单元; 以及多个第二电池,所述第二电池位于所述基板的边缘区域中,一个或更多个第二电池包括至少一个光伏单元;其中,在位于同一层的光伏单元当中,所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元具有比所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元更高的带隙能量。所述一个或更多个第一电池和所述一个或更多个第二电池可以包括同样数量的光伏单元。所述一个或更多个第一电池与所述一个或更多个第二电池的电压相对量{(第二电池的电压)/(第一电池的电压) }和电流相对量K第一电池的电流)/(第二电池的电流)}为100 %到120 %,优选的,所述一个或更多个第一电池和所述一个或更多个第二电池的电压相对量K第二电池的电压)/(第一电池的电压)}和电流相对量K第一电池的电流)/(第二电池的电流)}为102%到105%。所述一个或更多个第二电池的电压高于所述一个或更多个第一电池的电压,并且所述一个或更多个第二电池的电流高于所述一个或更多个第一电池的电流。所述一个或更多个第二电池可以位于距所述基板的边缘4cm以内的范围中。在同一层中的所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元和所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元包括一个或更多个本征半导体层,所述一个或更多个本征半导体层包含非晶硅锗(a-SiGe),并且,所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗比所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的错具有更闻的浓度。所述一个或更多个第一电池越接近所述边缘区域,所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层中包含的锗的浓度越低,并且,所述一个或更多个第一电池越接近所述边缘区域,所述一个或更多个第一电池的一个或更多个本征半导体层的带隙能量越大。在同一层中的所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元和所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元包括一个或更多个本征半导体层,所述一个或更多个本征半导体层包含微晶硅(P c-Si)。在这种情形下,所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗比所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个本征半导体层包含的锗具有更高的结晶度(crystallinity),并且,所述一个或更多个第二电池的结晶度比所述一个或更多个第一电池的结晶度低7%到10%。所述薄膜太阳能电池模块进一步包括与所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个本征半导体层相接触的一个或更多个种子层;以及与所述一个或更多个第二电池的一个或更多个本征半导体层相接触的一个或更多个种子层,并且,所述一个或更多个第一电池的所述一个或更多个种子层具有比所述一个或更多个第二电池的所述一个或更多个种子层更高的结晶度。根据一个方面,由于位于所述基板的边缘区域中的多个第二电池的光伏单元的带隙能量高于位于所述基板的中心区域中的多个第一电池的光伏单元的带隙能量,因此,第二电池的电压与第一电池的电压相比相对增加了,第二电池的电流与第一电池的电流相比相对减少了。因此,当对第一电池的光伏单元的带隙能量和第二电池的光伏单元的带隙能量进行控制,以使电压相对量和电流相对量分别变为100%或以上且120%或以下时,薄膜太阳能电池的效率提闻了。附图说明所包括的附图用于提供对本专利技术的进一步理解,并且被并入本申请且构成本申请的一部分,附图例示了本专利技术的(多个)实施方式,且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。附图中 图1是根据本专利技术的一个示例性实施方式的薄膜太阳能电池模块的平面图。图2是例示电流-电压(1-V)曲线的曲线图。图3是例示电压相对量与效率之间的关系的曲线图。图4是例示电流相对量与效率之间的关系的曲线图。图5是例示在图1的薄膜太阳能电池模块中使用的电池的结构的剖视图,该图示出了具有双结型光伏单元的电池。图6是例示在图1的薄膜太阳能电池模块中使用的电池的结构的剖视图,该图示出了具有三结型光伏单元的电池。图7是示出光伏单元中包含的锗(Ge)的浓度与带隙能量之间的关系的曲线图。图8是示出根据在基板中的位置的光伏单元的锗的浓度的曲线图。图9是示出根据在基板中的位置的光伏单元的带隙能量的曲线图。图10是示出在图1的薄膜太阳能电池模块中使用的三结型电池的结构的剖视图, 该图示出了具有种子层的电池。图11是示出根据种子层的结晶度的晶体硅的结晶度的剖视图。具体实施方式现在将详细参考本专利技术的优选实施方式,在附图中例示了本专利技术的优选实施方式的示例。本文中使用的术语只是出于描述特定的实施方式的目的,而并非意图限制本专利技术的范围。将参照附图对本专利技术的优选实施方式进行详细描述,以便本领域技术人员能够完全理解本专利技术的概念。然而,在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下,可以做出形式和细节上的各种变化。贯穿本说明书,可以使用相同的附图标记来指代相同的要素。下文中,贯穿所有附图,为了清楚地例示出多个层和多个区域,可能会放大厚度。 当一个层、膜、区域和板“位于”另一个要素“上”时,不仅包括相应的要素“直接”位于另一个要素上的情形,而且还可以包括相应的要素在中间部分的情形。相反,某一要素“直接”位于另一个要素上的情形表示在中间部分没有要素。相反,某一要素“直接”位于另一个要素上的情形表示在中间部分没有要素。另外,某一要素完全形成在另一个要素上的情形可以包括该要素不仅形成在另一个要素的全部表面(或整个表面)上,而且还形成在另一个要素的边缘的某些部分处的情形。下文中,将参照附图来描述根据本专利技术的实施方式的薄 膜太阳能电池模块。参照图1,根据本专利技术的实施方式的薄膜太阳能电池模块10包括基板100以及多个薄膜太阳能电池150,所述多个薄膜太阳能电池150设置于基板100上。基板100包括中心区域Al和边缘区域A2,所述边缘区域A2位于中心区域Al的边缘处,并且多个薄膜太阳能电池200分别位于中心区域Al和边缘区域A2中。为了简化描述,下文中,将位于中心区域Al中的多个薄膜太阳能电池称为第一电池Cl,并且将位于边缘区域A2中的多个薄膜太阳能电池称为第二电池C2。通常,在市场上经营的是1. 1X1. 3m2、l. 1X1. 4m2,2. 2X2. 6m2的大面积太阳能电池,并且1. 1X1. 3m2和1. 1X1. 4m2的薄膜太阳能电池可以包括100个或更多个电池。本文的意图是控制第一电池Cl和第二电池C2的特性,以提高大面积薄膜太阳能电池模块的效率。在本专利技术中,第二电池C2可以是位于距基板的边缘4cm以内的边缘区域 A2中的电池,第一电池Cl可本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜太阳能电池模块,该薄膜太阳能电池模块包括:基板;多个第一电池,所述多个第一电池位于中心区域中,一个或更多个第一电池包括至少一个光伏单元;以及多个第二电池,所述多个第二电池位于所述基板的边缘区域中,一个或更多个第二电池包括至少一个光伏单元;其中,在位于同一层的光伏单元当中,所述一个或更多个第二电池的所述光伏单元具有比所述一个或更多个第一电池的所述光伏单元更高的带隙能量。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:柳东柱,李炳璂,李宪民,黄先泰,李圣恩,
申请(专利权)人:LG电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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