【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏电池，特别涉及一种包含复合层的柔性衬底硅基多结叠层薄膜太阳电池。
技术介绍
在目前广泛使用的薄膜太阳电池中，主要采用的是非晶硅薄膜材料，但非晶硅薄膜太阳电池存在两个重要问题(I)光致衰退效应使电池稳定性不够理想；(2)带隙较宽，材料本身对太阳辐射光谱中长波光吸收不充分，限制了电池效率的进一步提高。为了解决这两个问题，近年来人们广泛开展了非晶硅/微晶硅叠层太阳电池和非晶硅/非晶硅锗叠层太阳电池的研究工作。为减少叠层太阳电池中子电池的连接损失，在光照时顶电池产生的电子和底电池产生的空穴在叠层太阳电池的子电池连接处的复合几率要尽可能地大。由于最高掺杂浓度的限制，顶电池的η型层和底电池的P型层所能达到的缺陷态密度有限。故如何增加叠层太阳电池子电池连接处的缺陷态密度，进而提高载流子的复合几率，将会对提高电池整体性能起到关键作用。目前没有发现同本专利技术类似技术的说明或报道，也尚未收集到国内外类似的资料。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述存在的问题，提出了一种包含复合层的柔性衬底硅基多结叠层太阳电池结构，该结构通过在叠层太阳电池的子电池间插入一层高缺陷...
【技术保护点】
一种包含复合层的柔性衬底硅基多结叠层太阳电池，其特征在于，该太阳电池包含由下到上依次设置的：金属箔或聚酯膜柔性衬底（11）；背反射电极（12）；微晶硅或非晶硅锗底电池（13）；复合层（14）；非晶硅顶电池（15）；及顶电极（16），该顶电极（16）为透明导电薄膜；其中，所述的复合层（14）采用非晶硅锗合金材料制成。
【技术特征摘要】
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