【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种光导半导体开关结构。
技术介绍
光导半导体开关(PhotoconductiveSemiconductor Switches,简称 PCSS),是近年来发展迅速的一种半导体光电子器件，其工作原理本质上是利用半导体的光电效应来调制半导体光电导材料的电导率。在光导半导体开关的电极上施加一定的偏置电压，激光脉冲照射在开关的半导体材料上，产生大量的载流子，此时开关导通，产生输出电脉冲；当激光脉冲撤去后，载流子消失，开关恢复到最初的阻断状态，输出电脉冲随之消失。光导半导体开关与传统开关相比具有诸多优点，在超高速电子学、大功率脉冲产生与整形、超宽带雷达、脉冲功率和高功率微波发生器、高速光探测器和调制器、光控微波和毫米波等领域具有广泛的应用前景。·为满足大功率场合的应用，光导半导体开关则应具有更小的暗电流、更高的击穿电压、更大的导通电流。激光未照射在光导半导体开关时，在两只电极上施加一定的偏置电压，产生的电流为暗电流。减小暗电流可减小光导半导体开关的损耗。目前的做法是在光导半导体开关表面制备一层钝化层，例如氮化娃薄膜，或者将器件浸入...
【技术保护点】
一种光导半导体开关结构，包括基片（1），所述基片（1）的顶端面设置有第一碳化硅薄膜（2），所述第一碳化硅薄膜（2）的顶端面的两侧分别设置有电极（3），其特征在于：所述电极（3）的顶端面设置有第二碳化硅薄膜（4），该第二碳化硅薄膜（4）覆盖于电极（3）之间的间隙及电极（3）的顶端面的部分区域。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨汇鑫，胡刚，
申请(专利权)人：东莞市五峰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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