【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域,特别涉及一种用于图像传感器的光电二极管及其制造方法、图像传感器。
技术介绍
集成电路技术使计算机、控制系统、通讯和图像等许多领域发生了巨大的变化。在图像领域中,图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同,可分为CXD(Charge Coupled Device,电荷稱合兀件)和互补金属-氧化物-半导体(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor, CMOS)有源像素图像传感器两大类。其中,CMOS图像传感器已在电荷耦合成像器件涉及的应用中占领了相当大的领域。·公开号为CN101986432A的中国专利申请公开了一种CMOS图像传感器,具体请参阅图1,所述CMOS图像传感器包括透镜11、多个微棱镜(microlens) 13、多个彩色滤光(color filter)单元15和多个感光元件(sensor) 17,所述微棱镜13、所述彩色滤光单元15和所述感光元件17 —一对应设置,外界光线依次经所述透镜11、微棱镜13、彩色滤光单元15而照射到所述感光元件17上。授权公告号为CN2681 ...
【技术保护点】
一种用于图像传感器的光电二极管,其特征在于,所述光电二极管的光入射面具有凸起。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郑春生,张文广,陈玉文,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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