新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池制造技术

技术编号:8535040 阅读:167 留言:0更新日期:2013-04-04 19:18
本发明专利技术主要目的系一种新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池,此技术方法于双结硅薄膜太阳能电池中的顶电池及底电池之间增加一层金属氧化物,其目的在于能够使顶电池获得更多的光吸收,并产生高效率双结硅薄膜太阳能电池。?

【技术实现步骤摘要】
新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池
本专利技术关于一种新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池,其目的在于大幅增加顶电池光吸收效率,进而达到生产成本降低及高效率之双结硅薄膜太阳能电池。
技术介绍
由于能源价格高涨,全球各地皆再寻求替代的绿色能源,非晶硅太阳能电池即是一种将太阳光转换成电能的有效率的绿色能源。目前,业界大多采用传统单结硅薄膜PIN堆栈结构制程制作太阳能电池,但此方式仍有低发电效率的缺点存在,其中造成太阳能电池价格过高,无法有效普及化应用于生活中的一大因素。
技术实现思路
本专利技术主要目的系一种新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池,此技术方法于双结硅薄膜太阳能电池中的顶电池及底电池之间增加一层金属氧化物, 其目的在于能够使顶电池获得更多的光吸收,并产生高效率双结硅薄膜太阳能电池。一种新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池,其特征在于,包含了 一透明玻璃基板;一第一透明导电层,位于该透明导电层上;一顶电池PIN硅半导体层,位于该第一透明导电层上;一金属氧化物层,位于该顶电池PIN硅半导体层上;一底电池P1N硅半导体层,位于该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池,此技术方法其结构利用新型中间层金属氧化物沉积于顶电池及底电池之间,其目的在于提高顶电池光吸收效率,并能够获得高效率双结硅薄膜太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池,此技术方法其结构利用新型中间层金属氧化物沉积于顶电池及底电池之间,其目的在于提高顶电池光吸收效率,并能够获得高效率双结硅薄膜太阳能电池。2.根据权利要求1所述的一种新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池,其中透明玻璃基板材质选用超高穿透度之玻璃基板,以增加入射光的比例。3.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈政宏刘幼海刘吉人
申请(专利权)人:吉富新能源科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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