【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件,其结构自下而上包括衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(5)、钝化层(9)和保护层(10);势垒层(3)上的两端分别为源极(7)和漏极(8),钝化层(9)位于源极(7)和漏极(8)之间的势垒层(5)上,该钝化层(9)上开有栅槽,栅槽中设有栅极(6),其特征在于:所述的缓冲层(2)采用GaN半导体材料,该缓冲层(2)上刻蚀有若干均匀排列的宽度为纳米量级的量子线凹槽(3),得到若干宽度为纳米量级的量子线凸台(4),且量子线凹槽(3)与量子线凸台(4)为周期性排列,在量子线凹槽(3)和量子线凸台(4)正下方异质结中形成一维电子气;所述的势垒层(5)采用AlGaN半导体材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:马晓华,郝跃,汤国平,陈伟伟,赵胜雷,
申请(专利权)人:西安电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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